晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 500mA | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@50mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.5V@20mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V | 输入电阻 | 2.2kΩ |
电阻比率 | 1 |
PDTD123ET,215 是一款由知名半导体制造商 Nexperia(安世)推出的高性能 NPN 预偏置晶体管。该器件设计用于满足现代电子电路的高效能和高稳定性需求,其重要的电气参数使其在广泛的应用中表现出色。无论是在低功耗开关、放大器还是无线通信设备中,PDTD123ET,215都能提供可靠的性能支持。
PDTD123ET,215 产品采用表面贴装型 (SMD) 封装,具体型号为 TO-236AB。这种封装形式不仅可以在较小的空间内实现高度集成,还支持自动化贴装,极大地提高了生产效率。到达市场时,客户可享受到更好的物料成本效益和便捷的焊接性。
PDTD123ET,215 的设计使其非常适用于各种应用场景,主要包括:
在手机、平板电脑及智能穿戴设备中,PDTD123ET,215 功能强大的特点使其成为理想的选择。在电源管理和信号处理电路中,其极佳的性能保证了设备在各种应用场合的高效和稳定运行。此外,工业自动化及消费电子产品也常用这样的晶体管来提升设备的性能。
综上所述,PDTD123ET,215 是一款设计出色、性能可靠的 NPN 预偏置晶体管,适用于多种电子应用中,其高效的电气性能和优越的散热特性使其在现代电子设备中扮演着不可或缺的角色。对于希望在紧凑和高效的设计中获得最佳性能的工程师而言,PDTD123ET,215 是一个理想的选择。