晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,2V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
PMBT4403,215 产品概述
PMBT4403,215 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),由知名半导体供应商安世(Nexperia)制造。该器件的设计服务于各种电子应用,尤其适用于开关和放大电路。它的优势在于其出色的电气性能、较低的功耗和可靠性,在现代电子设备的电路设计中扮演着重要角色。
额定功率: PMBT4403 最大功率为250mW,适合于低功耗和中功率应用,能够有效减少在操作过程中的热量产生,从而提高设备的稳定性和使用寿命。
集电极电流(Ic): 最大集电极电流为600mA,使得此器件能够处理相对较高的负载,适用于驱动小功率电机或用于信号放大。
集射极击穿电压(Vce): 本器件的最大集射极击穿电压为40V,提供了一定的安全余量,确保能够在多种工作条件下稳定运行,减少因电压过高而造成器件损坏的风险。
Vce饱和压降: 不同集电极电流(Ic)下的Vce饱和压降分别为750mV(50mA)与500mV (500mA),在实现电流开关时表现出低损耗特性,有助于提高电路效率。
电流增益(hFE): 最小直流电流增益(hFE)达到100 @ 150mA和2V的工作条件,表明该晶体管在小信号放大方面有良好的性能,能够有效提高信号的强度。
截止电流: 最大集电极截止电流(ICBO)为50nA,显示了器件在无信号输入时的超低漏电特性,适合用于高精度的模拟信号电路。
频率响应: 在200MHz的跃迁频率内,PMBT4403可适用于高频信号处理,使其得到广泛应用于无线通讯和射频电路。
工作温度范围: 器件的工作温度可达到150°C(TJ),保证其在恶劣环境下的稳定性及可靠性,使其适合于工业及汽车电子领域。
PMBT4403采用SOT-23-3封装(TO-236AB),是一种表面贴装型封装,适合现代电子产品中所需的高密度设计。其小巧的体积与轻便的重量为工程师提供了广泛的设计灵活性,能够在各种布局下实现简单的集成。表面贴装的便利性使得其可以很容易地被应用于自动化的生产线,降低了制造成本并提高了生产效率。
由于其优良的性能指标,PMBT4403,215适用于多种电子应用,包括但不限于:
PMBT4403,215是一款集成了多种优良特性的PNP型晶体管,适合广泛的电子应用。凭借其出色的电气特性、符合现代设计要求的封装和广泛的应用场景,它在消费电子、工业控制、汽车电子等领域的设计中,将为工程师们提供强有力的支持。对于寻找高效、可靠且经济的解决方案的设计师来说,PMBT4403无疑是一个理想的选择。