PMEG2005EB,115
PMEG2005EB,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 20V | 平均整流电流（Io） | 500mA |
| 正向压降（Vf） | 480mV @ 500mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 20V | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 480mV @ 500mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30µA @ 10V | 不同 Vr、F 时电容 | 30pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
PMEG2005EB,115手册
PMEG2005EB,115概述
PMEG2005EB,115 产品概述
一、产品简介
PMEG2005EB,115是一款高性能肖特基二极管，采用表面贴装封装（SOD-523），专为高效能电子电路设计而优化。该二极管具有良好的电气特性，能够满足在各种应用中的需求，尤其在低压降、快速切换及高效能电源转换中展现出卓越的表现。由知名品牌Nexperia（安世）生产，PMEG2005EB,115以其优异的产品质量而广受电子工程师的青睐。
二、主要参数
直流反向耐压（Vr）: 最高20V，适用于低电压应用场合，能够承受较高的反向电压，确保在电路设计中的安全性和可靠性。
平均整流电流（Io）: 500mA为二极管提供了足够的电流承载能力，使其在多种负载条件下均能稳定工作。
正向压降（Vf）: 在500mA情况下，正向压降仅为480mV，极大地降低了能量损耗，尤其适用于高效能的电源系统。
反向泄漏电流: 在10V下，反向泄漏电流为30µA，这对于低功耗应用至关重要，确保了设备的节能特性。
工作温度范围: 结温最高可达125°C，适合高温环境或要求较高的设备运行场合。
电容和频率特性: 在1V和1MHz下，表现出30pF的电容值，优异的频响应能力使其在快速开关应用中非常理想。
三、产品特点
快速恢复能力: 该肖特基二极管的恢复时间小于500ns，能够支持快速开关的电路操作，极大地提高了电源转换效率。
低开关损耗: 由于其较低的正向压降和反向泄漏电流，PMEG2005EB,115能够有效减少开关过程中的能量损失，适合用于高频应用。
小型封装: SOD-523封装使其占据较小的 PCB 空间，适合于空间受限的电子产品，尤其在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中极具吸引力。
四、应用场景
PMEG2005EB,115广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理: 在电源适配器、开关电源（SMPS）和电池充电器中，肖特基二极管提供了高效整流和保护功能。
逆变器: 在逆变和变换器应用中，提供高效的功率转换，显著提高整个系统的性能。
LED驱动: 在LED驱动电路中对电流的整流和调节，使LED工作在最佳状态。
汽车电子: 在汽车电气系统中，确保高可靠性和耐高温的性能，适用于电机控制和电池管理系统。
五、总结
PMEG2005EB,115凭借其卓越的电性能和可靠的技术参数，成为市场上非常受欢迎的肖特基二极管选择之一。其低正向压降、快速恢复时间以及高反向耐压能力，使其适合于多种高效能电子应用。无论是在消费电子、汽车电气还是工业设备中，PMEG2005EB,115都展现出其独特的优势和应用潜力，能够满足工程师在设计时对高性能和高可靠性的双重需求。