QS6M3TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

QS6M3TR

商品编码: BM0000282275
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT6(SC-95)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 30V;20V 1.5A 1个N沟道+1个P沟道 SC-95
库存 :
2613(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.548
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.548
--
3000+
¥0.51
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

QS6M3TR参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)170mΩ@4.5V,1.5A
功率(Pd)1.25W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)3nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)270pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)35pF工作温度-55℃~+150℃

QS6M3TR手册

QS6M3TR概述

QS6M3TR 产品概述

概述

QS6M3TR是一款集成了一个N沟道和一个P沟道场效应管(MOSFET)的双通道功率开关器件。该器件具有高效的电流控制能力,适合在逻辑电平驱动下工作,广泛应用于消费电子、通信设备和电源管理等领域。QS6M3TR由知名品牌ROHM(罗姆)生产,以其优越的性能和可靠性,在市场上取得了良好的口碑。

主要参数

  • 安装方式: QS6M3TR采用表面贴装型(SMD)封装,便于与现代电子设备的电路板相结合,降低组装成本。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs=4.5V,Id=1.5A 及 25°C 时,其导通电阻的最大值为230毫欧,保证了在正常工作条件下的能效。
  • 连续漏极电流 (Id): 该器件具备1.5A的连续漏极电流能力,能够满足大多数消费电子产品的需求。
  • FET 类型: QS6M3TR兼容N沟道与P沟道的功能,提供了更大的电路设计灵活性,可以用于不同的开关配置。
  • 漏源电压 (Vdss): 器件可以承受最高30V和20V的漏源电压,确保其在高压环境下的可靠运行。
  • 输入电容 (Ciss): 在Vds=10V的条件下,输入电容最大为80pF,可在高频应用中表现出色。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为1.6nC,确保了快速开关频率和优异的开关特性。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 其阈值电压在1mA时最大为1.5V,满足逻辑门操作的要求。
  • 工作温度: QS6M3TR的工作温度范围可达到150°C(TJ),适合于高温工作的环境,提供了更好的热管理能力。
  • 功率能力: 器件的最大功率输出为1.25W,适合低功耗驱动应用。

应用场景

QS6M3TR适用于多种电子设计应用,包括但不限于以下几个方面:

  1. 电源管理: 作为高效的开关器件,QS6M3TR能够用于电源转换器和电源分配网络中,优化能量的转移和管理。
  2. 消费电子: 可用于手机、平板电脑及其他便携设备中的电源开关,提供低功耗和高效率的解决方案。
  3. 通信设备: 在网络设备和通信产品中,QS6M3TR可应用于信号开关和功率调节,提升信号的完整性与稳定性。
  4. LED驱动: 其高电流能力和快速响应时间,使QS6M3TR成为LED照明应用的理想选择,提升产品的亮度和效率。

设计优势

  • 高集成度: 作为一个双通道MOSFET,QS6M3TR减少了元器件数量,简化了电路设计,同时提供更多功能。
  • 优良的散热性能: 由于其的高工作温度能力,QS6M3TR可以在更具挑战性的环境中工作,确保了设备的长期稳定性。
  • 高效的开关能力: 低导通电阻和栅极电荷使得QS6M3TR在频繁开关的应用中表现卓越,减少了开关损耗。

结论

总之,QS6M3TR是ROHM推出的一款高性能表面贴装型MOSFET,提供了优越的电气性能和多种应用灵活性。在现代电子设计中,QS6M3TR因其高集成度、良好的散热性能和高效控制能力,成为设计工程师们理想的选择。无论是在电源管理还是在各类消费电子设备中,QS6M3TR都能展现出令人满意的效能,是推动电子产品进步的重要力量。