类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 400mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@4.5V,350mA |
功率(Pd) | 130mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.2pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.8pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1016X-T1-GE3是一款高性能的N沟道和P沟道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。其独特的设计和优良的电气特性使其在各种应用中发挥重要作用,包括电源管理、开关电路和逻辑电平接口。
SI1016X-T1-GE3采用SC-89-6封装,具有表面贴装的特点,使其适配现代小型化电子设备的设计需求。SOT-563和SOT-666的封装形式极大地提高了设备的集成度和散热性能,便于在紧凑空间中可靠地安装。
由于其优秀的电气性能和广泛的工作温度范围,SI1016X-T1-GE3适用于以下多个领域:
在使用SI1016X-T1-GE3时,建议设计者充分考虑其栅极驱动电压和负载特性。对于不同应用场景,可以根据具体的工作条件调整栅源电压(Vgs)以实现最佳的导通状态,降低损耗。此外,保持适当的散热设计对于提高整体系统的可靠性和稳定性至关重要。
SI1016X-T1-GE3在众多同类产品中具有明显的竞争优势:
综合来看,SI1016X-T1-GE3是一款性能优良、用途广泛的MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和小巧封装,成为电源管理和开关控制应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,SI1016X-T1-GE3都能够为设计师提供强有力的支持和保障。在为您的项目选择元器件时,SI1016X-T1-GE3无疑是一个值得信赖的选择。