SI2333DDS-T1-GE3 产品实物图片
SI2333DDS-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2333DDS-T1-GE3

商品编码: BM0000282355
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W;1.7W 12V 6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
56017(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.632
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.632
--
3000+
¥0.588
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2333DDS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)5.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)1.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@8V输入电容(Ciss@Vds)1.275nF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)236pF@6V工作温度-55℃~+150℃

SI2333DDS-T1-GE3手册

SI2333DDS-T1-GE3概述

产品概述:SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET

概述 SI2333DDS-T1-GE3 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名供应商 VISHAY(威世)生产。此器件主要适用于低电压和中等功率的开关应用,广泛应用于电源管理、负载开关和其他数字电路等场合,因其良好的导通性能和较低的导通电阻而受到工程师的青睐。

电气特性 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 的主要电气特性如下:

  • 漏源电压(Vdss): 该元件的最大漏源电压为 12V,适合于低电压应用的需求。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的条件下,其连续漏极电流可达 6A。这使得其在中等负载条件下能稳定运行。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该参数为 1V @ 250µA,表明 MOSFET 在低驱动电压下也能有效开启,适合与低电压控制电路配合使用。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 4.5V 的栅极电压及 5A 的漏极电流下,该器件的导通电阻仅为 28mΩ。这种低 Rds(on) 特性意味着在开关状态下能有效减少功耗和热量产生。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 35nC @ 8V,表明其驱动栅极所需的电荷较少,方便快速开关。

热特性 SI2333DDS-T1-GE3 的功率耗散特性非常好:

  • 最大功率耗散: 在环境温度(Ta)为 25°C 时,最大功率耗散为 1.2W;而在结温(Tc)为 25°C 时最大功率耗散可达 1.7W。这使得其在长时间工作情况下仍能保持良好的热稳定性。

工作条件与安装

  • 工作温度范围: 该器件支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适合于严苛环境下的应用。
  • 封装形式: SI2333DDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装,体积小巧,适合于高密度布线电路板的设计。

应用场景 该 MOSFET 特别适用于以下应用场合:

  • 电源管理: 在电源开关、电压调节器等电路中,能够有效地控制高低电平的转变。
  • 负载开关: 控制不同负载的通断,例如在汽车和工业设备中的应用。
  • 信号开关: 在数字电路中作为信号开关,处理小信号的通断。

总结 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET,拥有良好的导通特性、低功耗和高温适应性,非常适合现代电子设备和系统的设计需求。结合其小巧的 SOT-23 封装形式, SI2333DDS-T1-GE3 成为各种电子应用的理想选择。