类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,5A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC@8V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.275nF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 236pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述 SI2333DDS-T1-GE3 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名供应商 VISHAY(威世)生产。此器件主要适用于低电压和中等功率的开关应用,广泛应用于电源管理、负载开关和其他数字电路等场合,因其良好的导通性能和较低的导通电阻而受到工程师的青睐。
电气特性 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 的主要电气特性如下:
热特性 SI2333DDS-T1-GE3 的功率耗散特性非常好:
工作条件与安装
应用场景 该 MOSFET 特别适用于以下应用场合:
总结 SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET,拥有良好的导通特性、低功耗和高温适应性,非常适合现代电子设备和系统的设计需求。结合其小巧的 SOT-23 封装形式, SI2333DDS-T1-GE3 成为各种电子应用的理想选择。