SI4056DY-T1-GE3
SI4056DY-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,11.1A |
| 功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 900pF@50V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 31pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4056DY-T1-GE3手册
SI4056DY-T1-GE3概述
SI4056DY-T1-GE3 产品概述
一、简介
SI4056DY-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有突出的电气性能和广泛的应用潜力，特别适用于高效能开关电源、功率转换器和直流电机驱动等电路应用。此器件由威世（VISHAY）公司制造，旨在满足现代电子设计的高效、可靠和尺寸紧凑的需求。
二、产品特性
安装类型：SI4056DY-T1-GE3为表面贴装型（SMD），符合高度集成和紧凑设计的趋势，使得其在现代电子设备中的布线更为灵活。
导通电阻（Rds(on)）：在15A时，施加10V Vgs时最大导通电阻为23毫欧，这一低电阻特性能够显著减少在高电流应用中的功率损耗。这对于长时间运行的设备尤其重要。
驱动电压：该MOSFET支持的驱动电压范围从4.5V到10V，具有出色的响应特性，能够适用于不同的控制电压，从而提升设计的灵活性。
连续漏极电流（Id）：其在25°C时的连续漏极电流为11.1A（Tc），这使SSD能够稳定地处理相对较大的负载电流，非常适合高负载下的应用。
漏源电压（Vdss）：SI4056DY-T1-GE3的漏源最大电压为100V，其宽范围的电压能力使其在电压波动的环境中运行更加可靠。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为2.5W（Ta），在结温Tc下可达5.7W，为持续高负载提供了可靠的散热性能，验证了器件的耐热性。
工作温度范围：SI4056DY-T1-GE3能够承受-55°C到150°C的广泛工作温度，使其在极端环境条件下依然能够可靠工作，适合军工、汽车及其他需要耐温设计的领域。
输入电容和栅极电荷：在50V下，最大输入电容（Ciss）为900pF，栅极电荷（Qg）最大值为29.5nC（在10V Vgs下）。这些参数表明器件在开关特性上具有较低的延迟和良好的高频特性。
阈值电压（Vgs(th)）：在250μA时，不同Id下最大阈值电压为2.8V。这一特性确保了MOSFET在较低电压条件下能够开始导通，从而降低了驱动电压需求。
三、应用场景
SI4056DY-T1-GE3因其优异的性能被广泛应用于以下领域：
开关电源：由于其低Rds(on)和高效能，该器件在开关电源设计中能够有效降低开关损耗。
电机驱动：在直流电机和步进电机的驱动电路中，MOSFET可以高效地控制电流流向，从而实现高效的功率控制。
功率转换器：在DC-DC转换器、逆变器等设备中，具有高效率以提高能源转换效率。
电池管理系统：MOSFET可以用作电池充放电管理中的开关，确保电流流动的高效与安全。
汽车应用：在汽车电子、照明和热控制等系统中，针对极端温度环境的耐受性使其成为一个优秀的选择。
四、总结
SI4056DY-T1-GE3是一款非常出色的MOSFET器件，兼具高效能与广泛的应用潜力。其特别设计的低导通电阻、宽温度工作范围和优秀的输入性能，使其在现代电子设备设计中扮演了重要角色。无论是开关电源、功率转换器还是电机驱动等各类应用，SI4056DY-T1-GE3都能为设计者提供一种高效可靠的解决方案。