SI4431CDY-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4431CDY-T1-GE3

商品编码: BM0000282360
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.245g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;4.2W 30V 9A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
21839(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.958
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.958
--
2500+
¥0.904
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4431CDY-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,7.0A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.006nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)145pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI4431CDY-T1-GE3手册

SI4431CDY-T1-GE3概述

SI4431CDY-T1-GE3 产品概述

概述

SI4431CDY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,属于 Vishay(威世)品牌,专为高效能驱动和功率控制应用而设计。其主要特点包括30V的漏源电压和高达9A的连续漏极电流,符合多种工业和消费电子产品的需求。这款器件采用表面贴装型 SOIC-8 封装,其宽度为0.154英寸(3.90mm),适用于各种紧凑型电路板设计。

主要规格参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 9A(25°C 时,Tc 条件)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 32mΩ @ 7A, 10V
  • 最大功率耗散: 2.5W(Ta=25°C),4.2W(Tc)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 栅极电荷(Qg): 38nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 1006pF @ 15V
  • 栅源电压(Vgs)最大值: ±20V
  • 封装类型: SOIC-8

应用领域

由于其优良的电气和热性能,SI4431CDY-T1-GE3 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统,提供高效的开关控制。
  2. 马达驱动: 作为电机驱动和控制电路中的开关组件,有助于提高电机的运行效率和稳定性。
  3. 音频放大器: 可以应用于音频设备中的功率放大器,提供高线性度和低失真率。
  4. 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑等小型消费电子中保证可靠的电源管理。

性能特点

SI4431CDY-T1-GE3 的设计旨在提供出色的导通特性和热管理性能。在实际应用中,器件的漏源导通电阻(Rds(on))值为32mΩ,这使得其在进行高电流的开关操作时,能够有效地降低功耗和发热。此外,器件的最大功率耗散可达到4.2W(在添制冷条件下),使其在高负荷条件下也能可靠工作。

设计考量

在设计使用 SI4431CDY-T1-GE3 的电路时,需要注意以下几点:

  1. 驱动电压: MOSFET 在工作时需要提供适当的栅极驱动电压。针对该器件,4.5V至10V的驱动电压被推荐,以确保在导通状态下表现出极低的导通电阻。
  2. 散热管理: 尽管该器件设计具有较高的功率耗散能力,良好的散热设计仍然至关重要,尤其是在高电流应用中。建议使用适当的散热器,以保持器件在额定温度范围内工作。
  3. PCB布局: 由于 MOSFET 的开关速度和导通特性与 PCB 布局密切相关,最佳布局应尽量减少栅极到源极的引线长度,以降低电感和电容效应。

结论

SI4431CDY-T1-GE3 是一款可靠的 P 通道 MOSFET,适用于各种高效能的功率管理和控制应用。经过优化的电气特性与良好的热管理能力,确保其在各类苛刻环境下亦能表现出色。无论是在电源管理、电机驱动还是消费电子产品中,SI4431CDY-T1-GE3 都是补充和增强电路性能的理想选择。