类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,7.0A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.006nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 145pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4431CDY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,属于 Vishay(威世)品牌,专为高效能驱动和功率控制应用而设计。其主要特点包括30V的漏源电压和高达9A的连续漏极电流,符合多种工业和消费电子产品的需求。这款器件采用表面贴装型 SOIC-8 封装,其宽度为0.154英寸(3.90mm),适用于各种紧凑型电路板设计。
由于其优良的电气和热性能,SI4431CDY-T1-GE3 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SI4431CDY-T1-GE3 的设计旨在提供出色的导通特性和热管理性能。在实际应用中,器件的漏源导通电阻(Rds(on))值为32mΩ,这使得其在进行高电流的开关操作时,能够有效地降低功耗和发热。此外,器件的最大功率耗散可达到4.2W(在添制冷条件下),使其在高负荷条件下也能可靠工作。
在设计使用 SI4431CDY-T1-GE3 的电路时,需要注意以下几点:
SI4431CDY-T1-GE3 是一款可靠的 P 通道 MOSFET,适用于各种高效能的功率管理和控制应用。经过优化的电气特性与良好的热管理能力,确保其在各类苛刻环境下亦能表现出色。无论是在电源管理、电机驱动还是消费电子产品中,SI4431CDY-T1-GE3 都是补充和增强电路性能的理想选择。