SI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,15A |
| 功率(Pd) | 3.5W；7.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 195nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6nF@15V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4459ADY-T1-GE3手册
SI4459ADY-T1-GE3概述
产品概述：SI4459ADY-T1-GE3 P沟道MOSFET
一、基本信息
SI4459ADY-T1-GE3 是由威世（VISHAY）制造的一款高性能 P沟道 MOSFET，具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。该器件采用表面贴装型封装（8-SOIC），是一种非常适合高密度电路板设计的选项。作为 MOSFET 的一部分，SI4459ADY-T1-GE3 主要用于功率管理和开关应用，尤其在电子设备中具有重要的作用。
二、主要参数
漏源电压（Vds）：该器件的漏源电压为 30V，意味着它可以在高达 30V 的电压下正常工作，适合用于低压电源和高频开关电路。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的条件下，该器件的连续漏极电流可达到 29A。这使得它能够有效处理较大的电流，适用于要求较高的功率应用。
栅源阈值电压（Vgs(th)）：该特性的最大值为 2.5V（在 250μA 的条件下），表明该 MOSFET 能在较低的栅电压下开启，能够与低压控制电路的兼容性较好。
导通电阻（Rds(on)）：在 15A 和 10V 的条件下，其最大导通电阻为 5毫欧。低的导通电阻意味着在开关状态下损耗更小，有助于提高系统整体效率。
最大功率耗散：该器件的最大功率耗散为 3.5W（在环境温度 25°C 时）及 7.8W（在结温 Tc 时），这是设计时的重要考虑因素，确保器件在长时间高电流/高功率工作时不会过热。
工作温度范围：SI4459ADY-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合于各种恶劣环境应用。
安装类型和封装：采用 8-SOIC 封装，尺寸适中，便于表面贴装，适合各种现代电子产品。
三、应用领域
SI4459ADY-T1-GE3 适合用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：可以作为开关控制器，用于 DC-DC 转换器、逆变器和电池管理系统。
- 电机控制：在电动机驱动和控制电路中，能够处理高电流需求。
- 汽车电子：可用于自动化系统和传感器，具备严酷环境下的稳定性。
- 消费电子：在个人电脑、电视等设备中，控制电源和信号开关。
四、竞争优势
与其他同类产品相比，SI4459ADY-T1-GE3 的竞争优势在于其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围，这使其在各种应用中表现出色。此外，威世作为知名品牌，提供了长期可靠的产品支持和质量保证。
五、总结
总体而言，SI4459ADY-T1-GE3 是一款具有高电流承载能力且设计合理的 P沟道 MOSFET，能够满足现代电子设备对高效能和耐用性的需求。无论是在电源管理、电机控制，还是在汽车和消费电子领域，其广泛的应用范围和卓越的性能表现使其成为工程师和设计师的优选元件。