SI7148DP-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7148DP-T1-GE3

商品编码: BM0000282370
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.131g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5.4W;96W 75V 28A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
13.25
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥13.25
--
3000+
¥13
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7148DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)28A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,28A
功率(Pd)5.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@5mA
栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.9nF@35V
反向传输电容(Crss@Vds)196pF@35V工作温度-55℃~+150℃

SI7148DP-T1-GE3手册

SI7148DP-T1-GE3概述

SI7148DP-T1-GE3 产品概述

概述

SI7148DP-T1-GE3是由Vishay(威世)制造的一款高效能N沟道MOSFET,采用了先进的PowerPAK® SO-8封装。这款器件专为高开关频率和低功耗应用而设计,具有出色的导通性能和热管理能力。它的漏源电压(Vds)为75V,连续漏极电流(Id)在25°C时高达28A,非常适合用于需要强大功率和热性能的电子电路。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss):最大75V,允许在较高的电压下安全操作,适用于电源管理和电机驱动等应用。
  • 连续漏极电流(Id):高达28A(在25°C环境条件下),确保设备在严苛条件下仍能保持良好的性能输出。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):2.5V @ 250µA,表明MOSFET在非常低的栅电压下就能开始导通,这为低电压操作提供了便利。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在10V驱动电压和15A电流下,最大为11mΩ,能够有效降低开关损耗并提升电路效率。
  • 最大功率耗散:系统可承受的功率为5.4W(在Ta=25°C下),和96W(在Tc条件下),确保其在高负载情况时不会过热。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ),适应于多种严苛环境条件,尤其适合汽车和工业应用。
  • 驱动电压:支持最大10V的驱动电压,为简单的栅驱动电路提供了便利。
  • 封装类型:表面贴装型的PowerPAK® SO-8,提供高密度设计和良好的散热性能。

应用领域

SI7148DP-T1-GE3广泛应用于各种电子设备和系统,特别是在:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、功率开关和电源供给系统,提高整体能效。
  • 电机控制:在电动机驱动和控制系统中,作为开关元件实现高效能运作。
  • 汽车电子:适合于汽车内部各种电子控制单元,满足严酷环境下的运作需求。
  • 消费电子:广泛应用于如移动设备、蓝牙设备和家电等轻量级消费电子产品。

优势与特色

  1. 高效能:低电阻和高电流能力使得SI7148DP-T1-GE3在高频开关条件下仍然保持良好的导电性和能效。
  2. 可靠性:优秀的工作温度范围和高功率耗散能力,确保器件在长时间和严苛环境下的稳定运行。
  3. 简易集成:表面贴装封装设计,便于自动化生产线的焊接,增加整体设计的灵活性与密度。

结论

SI7148DP-T1-GE3是一款多功能、高效能的N沟道MOSFET,适用于各种具有挑战性的应用场景。凭借其优越的性能参数和可靠的工作条件,SI7148DP-T1-GE3为设计者们提供了理想的解决方案,能够满足现代电路设计对效率、可靠性和体积的严苛要求。无论用于工业应用、汽车电子,还是消费电子,这款MOSFET都能够为您的设计增添强大的动力支持。