类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 28A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,28A |
功率(Pd) | 5.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@5mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.9nF@35V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 196pF@35V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7148DP-T1-GE3是由Vishay(威世)制造的一款高效能N沟道MOSFET,采用了先进的PowerPAK® SO-8封装。这款器件专为高开关频率和低功耗应用而设计,具有出色的导通性能和热管理能力。它的漏源电压(Vds)为75V,连续漏极电流(Id)在25°C时高达28A,非常适合用于需要强大功率和热性能的电子电路。
SI7148DP-T1-GE3广泛应用于各种电子设备和系统,特别是在:
SI7148DP-T1-GE3是一款多功能、高效能的N沟道MOSFET,适用于各种具有挑战性的应用场景。凭借其优越的性能参数和可靠的工作条件,SI7148DP-T1-GE3为设计者们提供了理想的解决方案,能够满足现代电路设计对效率、可靠性和体积的严苛要求。无论用于工业应用、汽车电子,还是消费电子,这款MOSFET都能够为您的设计增添强大的动力支持。