SI7336ADP-T1-E3
SI7336ADP-T1-E3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,25A |
| 功率(Pd) | 5.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.6nF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 415pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7336ADP-T1-E3手册
SI7336ADP-T1-E3概述
SI7336ADP-T1-E3 产品概述
概述
SI7336ADP-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 沟道MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为中高功率应用设计。该器件集成了一系列先进的技术指标，能够实现低导通电阻和高开关速度，从而在电源管理、马达控制和其他高频开关应用中提供卓越的性能。
主要参数
漏源电压（Vdss）: SI7336ADP-T1-E3 的漏源电压达到 30V，这使得其能在多种电压条件下稳定工作，适用于12V和24V领工业应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境下，此 MOSFET 的连续漏极电流可达 30A，满足高电流需求的应用，如电机驱动和高功率开关电源等。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅源电压下，导通电阻 仅为 3mΩ（在 25A 电流时）。这意味着在导通状态下产生的功耗极低，进而提高了系统的效率和温度管理性能。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该设备的栅源极阈值电压为 3V @ 250μA，适合于低电压驱动电路，降低了对驱动电压的要求。
驱动电压范围: 最小和最大栅源驱动电压分别为 4.5V 和 10V，可针对不同的应用场景灵活配置。
栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 条件下的栅极电荷仅为 50nC，确保快速导通和关断，适合高频开关应用。
功率耗散: 在环境温度 25°C 下，最大功率耗散为 5.4W，提供了充分的热管理设计余量。
工作温度范围: SI7336ADP-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适应各种严苛环境，适用于汽车、工业和航空等高可靠性要求的应用。
输入电容（Ciss）: 在 15V 下的输入电容为 5600pF，适合高速开机的应用，保持快速响应能力。
应用场景
SI7336ADP-T1-E3 可广泛应用于以下领域：
电源管理: 在高效率 DC-DC 转换器中，应用该 MOSFET 以降低能量损耗并提升整体性能。
电机控制: 适合用于电机驱动器和伺服系统，能够高效控制电机速度与扭矩，提高系统响应速度。
汽车电子: 凭借其宽工作温度范围和高可靠性，该器件非常适合用于汽车电气系统，如电源转换、照明控制和动力系统。
开关电源: 在开关电源设计中，SI7336ADP-T1-E3 提供可靠的开关性能和高效率，是理想的开关元件。
结论
SI7336ADP-T1-E3 是一款性能卓越、应用广泛的高功率 N 沟道 MOSFET，兼具低导通电阻和高开关速度，适应各种电源和驱动应用。凭借其全面的技术指标和良好的热管理性能，使其在严苛环境和高功率需求的情况下依然保持卓越的工作稳定性，充分满足现代电子设备日益增长的性能需求。对于需要可靠性和效率的高端电子应用，SI7336ADP-T1-E3 将是一个出色的选择。