SI7336ADP-T1-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7336ADP-T1-E3

商品编码: BM0000282372
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.247g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5.4W 30V 30A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.66
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.66
--
3000+
¥2.54
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7336ADP-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3mΩ@10V,25A
功率(Pd)5.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@15V输入电容(Ciss@Vds)5.6nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)415pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI7336ADP-T1-E3手册

SI7336ADP-T1-E3概述

SI7336ADP-T1-E3 产品概述

概述

SI7336ADP-T1-E3 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的 N 沟道MOSFET,采用 PowerPAK® SO-8 封装,专为中高功率应用设计。该器件集成了一系列先进的技术指标,能够实现低导通电阻和高开关速度,从而在电源管理、马达控制和其他高频开关应用中提供卓越的性能。

主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): SI7336ADP-T1-E3 的漏源电压达到 30V,这使得其能在多种电压条件下稳定工作,适用于12V和24V领工业应用。

  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C的环境下,此 MOSFET 的连续漏极电流可达 30A,满足高电流需求的应用,如电机驱动和高功率开关电源等。

  3. 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅源电压下,导通电阻 仅为 3mΩ(在 25A 电流时)。这意味着在导通状态下产生的功耗极低,进而提高了系统的效率和温度管理性能。

  4. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该设备的栅源极阈值电压为 3V @ 250μA,适合于低电压驱动电路,降低了对驱动电压的要求。

  5. 驱动电压范围: 最小和最大栅源驱动电压分别为 4.5V 和 10V,可针对不同的应用场景灵活配置。

  6. 栅极电荷(Qg): 在 4.5V 条件下的栅极电荷仅为 50nC,确保快速导通和关断,适合高频开关应用。

  7. 功率耗散: 在环境温度 25°C 下,最大功率耗散为 5.4W,提供了充分的热管理设计余量。

  8. 工作温度范围: SI7336ADP-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适应各种严苛环境,适用于汽车、工业和航空等高可靠性要求的应用。

  9. 输入电容(Ciss): 在 15V 下的输入电容为 5600pF,适合高速开机的应用,保持快速响应能力。

应用场景

SI7336ADP-T1-E3 可广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 在高效率 DC-DC 转换器中,应用该 MOSFET 以降低能量损耗并提升整体性能。

  2. 电机控制: 适合用于电机驱动器和伺服系统,能够高效控制电机速度与扭矩,提高系统响应速度。

  3. 汽车电子: 凭借其宽工作温度范围和高可靠性,该器件非常适合用于汽车电气系统,如电源转换、照明控制和动力系统。

  4. 开关电源: 在开关电源设计中,SI7336ADP-T1-E3 提供可靠的开关性能和高效率,是理想的开关元件。

结论

SI7336ADP-T1-E3 是一款性能卓越、应用广泛的高功率 N 沟道 MOSFET,兼具低导通电阻和高开关速度,适应各种电源和驱动应用。凭借其全面的技术指标和良好的热管理性能,使其在严苛环境和高功率需求的情况下依然保持卓越的工作稳定性,充分满足现代电子设备日益增长的性能需求。对于需要可靠性和效率的高端电子应用,SI7336ADP-T1-E3 将是一个出色的选择。