SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3 产品概述

产品简介： SI7635DP-T1-GE3 是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能P沟道MOSFET，旨在满足现代电子设备对功率管理的高要求。该MOSFET采用了先进的PowerPAK® SO-8封装，具备出色的电气性能和散热能力，特别适合用于低电压、高电流应用，广泛应用于电源转换、电机控制及负载开关等领域。

基础参数：

• 漏源电压（Vdss）：最高可承受20V，适用于低压电源和负载开关应用。
• 连续漏极电流（Id）：25°C时的最大连续电流为40A（在Tc条件下提供额外冷却），满足高电流需求。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA时的门阈值电压为2.2V，确保良好的开关特性与低功耗控制。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：4.9mΩ @ 10V时流过26A电流，突出优越的导通性能，降低了功耗和发热。

电气特性： SI7635DP-T1-GE3的驱动电压（Vgs）级别适应性强，支持4.5V至10V的控制信号，这使得其可轻松集成于多种逻辑电平的电路中。此外，不同Id、Vgs条件下的导通电阻最大值为4.9毫欧，确保该MOSFET在高频率和高负载应用中可实现高效能。

功率耗散能力： 该MOSFET在环境温度为25°C时的功率耗散最高可达54W，使得其适合用于高功率应用，且在较低的环境温度下也可保持稳定工作。此外，其在典型使用条件下的可靠性高，工作温度范围达到-55°C到150°C，适用于热量较大的工业及军事应用。

封装与安装： SI7635DP-T1-GE3使用的是表面贴装型PowerPAK® SO-8封装，设计紧凑，便于在空间受限的电路板上安装。这种封装结构不仅减小了PCB的使用面积，还有效提升了散热性能，为高密度设计提供了便利。

应用领域： 该MOSFET因其优良的热管理特性和强大的电气性能，适合广泛的应用场景，包括但不限于：

• DC-DC转换器
• 电池管理系统
• 直流电动机驱动
• 负载开关
• 各类消费电子及工业电子

总结： SI7635DP-T1-GE3 是一款功能强大、性能稳定的P沟道MOSFET，凭借其卓越的漏源电压、连续电流承载能力及热管理效率，成为电源设计师的理想选择。无论是在消费电子产品、工业自动化设备还是汽车电子中，SI7635DP-T1-GE3均能提供出色的性能和可靠性，助力现代电子产品更高效地运作。