SI7686DP-T1-E3 产品实物图片
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SI7686DP-T1-E3

商品编码: BM0000282376
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK-SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-30V-35A(Tc)-5W(Ta)-37.9W(Tc)-PowerPAK®-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
10+
数量 :
X
0.484
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.484
--
3000+
¥0.452
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7686DP-T1-E3参数

封装/外壳PowerPAK® SO-8FET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)30V栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 13.8A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)26nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1220pF @ 15V功率耗散(最大值)5W(Ta),37.9W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)供应商器件封装PowerPAK® SO-8

SI7686DP-T1-E3手册

SI7686DP-T1-E3概述

产品概述:SI7686DP-T1-E3

简介

SI7686DP-T1-E3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的高性能 N 型 MOSFET,采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 设计旨在满足现代电子应用对高效率、高电流和高耐压的需求,广泛应用于电源管理、负载开关和其他高功率应用场合。

关键规格

  1. 封装类型:PowerPAK® SO-8
  2. FET 类型:N 通道
  3. 漏源极电压(Vdss):30V
  4. 栅源电压(Vgss):±20V
  5. 安装类型:表面贴装 (SMT)
  6. 最大连续漏极电流(Id):35A(在 Tc 条件下)
  7. 功率耗散
    • 最大值:5W(环境温度 Ta 条件下)
    • 最大值:37.9W(在 Tc 条件下)
  8. 导通电阻(Rds On):最大值为 9.5 毫欧,@ 10V 和 13.8A。
  9. 门极电荷(Qg):最大值为 26nC,@ 10V。
  10. 输入电容(Ciss):最大值为 1220pF,@ 15V。
  11. 工作温度范围:-55°C 至 150°C。

性能优势

SI7686DP-T1-E3 提供出色的电气性能,尤其是在导通电阻和漏源电流性能方面。其在 10V 栅源驱动下达到了仅 9.5 毫欧的导通电阻,显著降低了功率损耗,使其成为高效电源转换和驱动应用的理想选择。

该器件的高耐压(30V)和大电流承载能力(35A)使其适用于各种电流和电压需求较高的应用。此外,它的广泛温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在极端环境下稳定工作,对于工业和汽车电子等领域尤其重要。

应用领域

SI7686DP-T1-E3 适用于多种应用,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器:在高效电源管理系统中,MOSFET 起到开关的作用,确保能量的有效转化和转换。
  • 电动汽车:用于电动车辆中的电池管理系统和电动机驱动电路,优化能量利用,增强续航能力。
  • 负载开关:可实现负载的高效控制,适用于各种消费电子和工业应用。
  • 电源开关:在开关电源和保险丝电路中,MOSFET 可实现快速和可靠的切换。
  • LED 驱动:在 LED 照明控制中,可以极大地提高效率。

封装设计

SI7686DP-T1-E3 采用了 VISHAY 独特的 PowerPAK® SO-8 封装,兼具紧凑性和优良热性能,适合高密度电路板布局。这种封装不仅减少了安装面积,还通过改善散热性能提高了器件的整体可靠性。

总结

SI7686DP-T1-E3 是一款高效能的 N 型 MOSFET,凭借其优秀的电气特性和适应广泛应用的能力,成为高电压和大电流需求场合中的热门选择。无论是在电源管理、工业控制还是电动汽车应用中,SI7686DP-T1-E3 都能为设计工程师提供可靠、高效的解决方案。随着技术的不断进步和市场需求的不断变化,这款元件的应用前景将更加广泛,满足未来的智能电子产品创新需求。