封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.5 毫欧 @ 13.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1220pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 5W(Ta),37.9W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7686DP-T1-E3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的高性能 N 型 MOSFET,采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 设计旨在满足现代电子应用对高效率、高电流和高耐压的需求,广泛应用于电源管理、负载开关和其他高功率应用场合。
SI7686DP-T1-E3 提供出色的电气性能,尤其是在导通电阻和漏源电流性能方面。其在 10V 栅源驱动下达到了仅 9.5 毫欧的导通电阻,显著降低了功率损耗,使其成为高效电源转换和驱动应用的理想选择。
该器件的高耐压(30V)和大电流承载能力(35A)使其适用于各种电流和电压需求较高的应用。此外,它的广泛温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在极端环境下稳定工作,对于工业和汽车电子等领域尤其重要。
SI7686DP-T1-E3 适用于多种应用,包括但不限于:
SI7686DP-T1-E3 采用了 VISHAY 独特的 PowerPAK® SO-8 封装,兼具紧凑性和优良热性能,适合高密度电路板布局。这种封装不仅减少了安装面积,还通过改善散热性能提高了器件的整体可靠性。
SI7686DP-T1-E3 是一款高效能的 N 型 MOSFET,凭借其优秀的电气特性和适应广泛应用的能力,成为高电压和大电流需求场合中的热门选择。无论是在电源管理、工业控制还是电动汽车应用中,SI7686DP-T1-E3 都能为设计工程师提供可靠、高效的解决方案。随着技术的不断进步和市场需求的不断变化,这款元件的应用前景将更加广泛,满足未来的智能电子产品创新需求。