类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5.3A |
功率(Pd) | 19W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
SIA421DJ-T1-GE3 产品概述
SIA421DJ-T1-GE3 是一款由 VISHAY(威世)公司推出的高性能 P沟道 MOSFET,具有广泛的应用潜力,特别适用于要求高可靠性和高效率的电力管理电路。该产品采用 PowerPAK® SC-70-6 封装,设计紧凑,适用于表面贴装,从而使其在现代电子设计中得以广泛应用。
基础参数与特性
该 MOSFET 的关键特性包括:
应用场景
SIA421DJ-T1-GE3 适用于综合电源开关、负载开关、电池管理、DC-DC 转换器等多种应用。由于其承受高电流、高效能的能力,该 MOSFET 被广泛应用在以下领域:
电池管理系统:在电池保护、充电和放电过程中,该 MOSFET 能够有效控制电压和电流,实现能量的高效管理。
智能家居设备:在恒定电流和电压的情况下,使用该 MOSFET 可实现低功耗的电源切换,有助于提升设备的能效比。
汽车电子:承受极端温度工作条件,SIA421DJ-T1-GE3 适合用于汽车的能源管理系统,例如电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
工业自动化:在需要高可靠性的自动控制系统中,该 MOSFET 可作为电源开关,保证系统的稳定性和安全性。
总结
总之,SIA421DJ-T1-GE3 是一款性能优越的 P沟道 MOSFET,适用于多种电力管理及电源开关的应用场合。凭借它的高效率、低导通电阻、宽工作温度范围以及强大的功率处理能力,VISHAY 的这款产品助力电子工程师设计出更加高效和可靠的电路解决方案,满足现代高科技产品的需求。