类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.6mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 22.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.785nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR422DP-T1-GE3 是由知名电子元件制造商 VISHAY(威世)生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET。该器件具有出色的电气性能和热稳定性,使其在各种电子应用中成为理想的选择。以下是对 SIR422DP-T1-GE3 详细的参数分析和应用情境的阐述。
SIR422DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,这种紧凑的表面贴装型设计有效地节约了PCB空间,同时增强了散热性能。其小巧的体积和良好的热性能使得它适合用于空间有限的电子设备中。
由于 SIR422DP-T1-GE3 拥有优异的电气特性,广泛适用于以下领域:
使用 SIR422DP-T1-GE3 作为设计中的主要开关元件,可以显著降低电源损耗,提升电源转换效率。其低导通电阻和高电流承载能力确保了在高负载工作时的可靠性和稳定性。此外,优异的温度适应性,使得它在高温或极端环境下工作时,依然能够维持良好的性能。
SIR422DP-T1-GE3 是一款具有高性能和可靠性的 N 沟道 MOSFET,提供了优秀的电气参数和广泛的应用潜力,特别适合于需要效率和稳定性的电子设计。无论是用于高功率的电源管理,还是在严苛的环境应用,SIR422DP-T1-GE3 都是一个值得信赖的选择。凭借 VISHAY 品牌的声誉,设计工程师可以放心地将该器件整合到他们的产品中,助力实现更高的设计目标。