SIR616DP-T1-GE3
SIR616DP-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50.5mΩ@10V,10A |
| 功率(Pd) | 5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@100V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 23.7pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR616DP-T1-GE3手册
SIR616DP-T1-GE3概述
SIR616DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR616DP-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其采用了 PowerPAK® SO-8 封装，专为那些要求高电压和高电流的应用而设计。该器件以其卓越的热性能、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，使得 SIR616DP-T1-GE3 成为各种电源转换和开关应用中的理想选择。
主要技术参数
封装类型: SIR616DP-T1-GE3 使用 PowerPAK® SO-8 封装，具有较小的表面占用面积和优良的散热性能，适合现代电子设备的紧凑设计。
FET 类型: 该器件为 N 通道 MOSFET，适用于多种开关应用和线性应用。
漏源电压 (Vds): 最高漏源极电压为 200V，能够满足高电压应用需求。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流可达 20.2A（在 Tc = 25°C 条件下稳定工作）。
导通电阻 (Rds(on)): 该器件的最大导通电阻为 50.5 毫欧（在 10A、10V Vgs 条件下），具有较低的功耗和热耗散。
栅极电压 (Vgs): 允许的栅源电压范围为 ±20V，适合多数控制电路的需要。
开关性能: 在 Vgs = 7.5V 条件下，栅极电荷（Qg）最大值为 28nC，确保快速开关操作。
输入电容 (Ciss): 在 100V 条件下，输入电容最大值为 1450pF，提供良好的效率和速度。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 52W（在 Tc = 25°C 条件下），使其在高功率应用中表现良好。
工作温度范围: 在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内，确保在恶劣环境下的可靠性。
应用场景
SIR616DP-T1-GE3 可以被广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 提供高效能和高稳定性的电源转换。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动中执行高频、高速的开关操作。
- DC-DC 转换器: 高效转换电压等级，提高能量使用效率。
- 电力管理: 适用于高功率管理应用，优化能耗。
结论
SIR616DP-T1-GE3 是一款可靠的高压 N 通道 MOSFET，采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装，结合高导通能力和低导通电阻，能够满足现代电子设备对性能、体积和热管理的高要求。凭借其卓越的技术规格和广泛的应用领域，SIR616DP-T1-GE3 适合多种高电流及高压场景，为设计工程师提供了高效和灵活的解决方案。