SIR616DP-T1-GE3 产品实物图片
SIR616DP-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIR616DP-T1-GE3

商品编码: BM0000282381
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-200V-20.2A(Tc)-52W(Tc)-PowerPAK®-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.49
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.49
--
3000+
¥4.32
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIR616DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)6.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50.5mΩ@10V,10A
功率(Pd)5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.45nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)23.7pF@100V工作温度-55℃~+150℃

SIR616DP-T1-GE3手册

SIR616DP-T1-GE3概述

SIR616DP-T1-GE3 产品概述

概述

SIR616DP-T1-GE3 是 VISHAY(威世)公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其采用了 PowerPAK® SO-8 封装,专为那些要求高电压和高电流的应用而设计。该器件以其卓越的热性能、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使得 SIR616DP-T1-GE3 成为各种电源转换和开关应用中的理想选择。

主要技术参数

  1. 封装类型: SIR616DP-T1-GE3 使用 PowerPAK® SO-8 封装,具有较小的表面占用面积和优良的散热性能,适合现代电子设备的紧凑设计。

  2. FET 类型: 该器件为 N 通道 MOSFET,适用于多种开关应用和线性应用。

  3. 漏源电压 (Vds): 最高漏源极电压为 200V,能够满足高电压应用需求。

  4. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,最大连续漏极电流可达 20.2A(在 Tc = 25°C 条件下稳定工作)。

  5. 导通电阻 (Rds(on)): 该器件的最大导通电阻为 50.5 毫欧(在 10A、10V Vgs 条件下),具有较低的功耗和热耗散。

  6. 栅极电压 (Vgs): 允许的栅源电压范围为 ±20V,适合多数控制电路的需要。

  7. 开关性能: 在 Vgs = 7.5V 条件下,栅极电荷(Qg)最大值为 28nC,确保快速开关操作。

  8. 输入电容 (Ciss): 在 100V 条件下,输入电容最大值为 1450pF,提供良好的效率和速度。

  9. 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 52W(在 Tc = 25°C 条件下),使其在高功率应用中表现良好。

  10. 工作温度范围: 在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内,确保在恶劣环境下的可靠性。

应用场景

SIR616DP-T1-GE3 可以被广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 提供高效能和高稳定性的电源转换。
  • 电机驱动: 在电机控制和驱动中执行高频、高速的开关操作。
  • DC-DC 转换器: 高效转换电压等级,提高能量使用效率。
  • 电力管理: 适用于高功率管理应用,优化能耗。

结论

SIR616DP-T1-GE3 是一款可靠的高压 N 通道 MOSFET,采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装,结合高导通能力和低导通电阻,能够满足现代电子设备对性能、体积和热管理的高要求。凭借其卓越的技术规格和广泛的应用领域,SIR616DP-T1-GE3 适合多种高电流及高压场景,为设计工程师提供了高效和灵活的解决方案。