类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@4.5V |
功率(Pd) | 3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 425pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@10V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQ2301ES-T1_GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为各种电子应用而设计,尤其适合电源管理和负载开关等场景。其采用业界标准的 SOT-23-3(TO-236)封装,适合于表面贴装(SMT),使其在有限的电路板空间中发挥出色性能。该 MOSFET 由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产,确保其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。
SQ2301ES-T1_GE3 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SQ2301ES-T1_GE3 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、优异的热性能和广泛的应用适应性,成为众多电子设计中的理想选择。VISHAY(威世)作为行业领先的品牌,其产品的质量和稳定性得到了广泛认可,使这款 MOSFET 成为电路设计师在进行电源管理和高侧开关设计时的优选解决方案。无论是消费电子、汽车电子还是工业应用,SQ2301ES-T1_GE3 都能为用户提供高效、可靠的性能保障。