SQ2301ES-T1_GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SQ2301ES-T1_GE3

商品编码: BM0000282457
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-236(SOT-23)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 20V 3.9A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
2469(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.954
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.954
--
3000+
¥0.904
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQ2301ES-T1_GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@4.5V
功率(Pd)3W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)425pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@10V工作温度-55℃~+175℃

SQ2301ES-T1_GE3手册

SQ2301ES-T1_GE3概述

产品概述:SQ2301ES-T1_GE3

基本信息

SQ2301ES-T1_GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为各种电子应用而设计,尤其适合电源管理和负载开关等场景。其采用业界标准的 SOT-23-3(TO-236)封装,适合于表面贴装(SMT),使其在有限的电路板空间中发挥出色性能。该 MOSFET 由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产,确保其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。

关键特性

  • 封装/外壳: SQ2301ES-T1_GE3 使用 TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3 封装,体积小,适合紧凑型设计。
  • FET 类型: P 通道 MOSFET,这种反向导通特性为设计师提供了更大的灵活性,尤其适用于高侧开关应用。
  • 额定电压: 漏源极电压(Vdss)为 20V,适合用于低压电路。
  • 电流承载能力: 在 25°C 的环境温度下,具备 3.9A 的连续漏极电流(Id),满足了大多数中小功率应用的需求。
  • 控制电压范围: 栅源电压(Vgss)可承受 ±8V,提供保护以防止过压情况。
  • 导通电阻: 在 4.5V 的栅源电压下,导通电阻最大值为 120 毫欧,确保低能耗和高效能的表现。
  • 开关性能: 最大栅极电荷(Qg)为 8nC,保证快速的开关性能,适合高频应用。

性能参数

  • 功率耗散: SQ2301ES-T1_GE3 的最大功率耗散为 3W,这使得其在使用时具备更高的热管理能力。
  • 输入电容: 在 10V 的漏源电压(Vds)下,输入电容(Ciss)为 425pF,有助于减少开关损耗并提升开关速度。
  • 工作温度范围: 该 MOSFET 具有极宽的工作温度范围,能够在 -55°C 到 175°C 的条件下稳定工作,适合恶劣环境条件下的应用。

应用场景

SQ2301ES-T1_GE3 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于电源开关、逆变器及DC-DC转换器等电源管理电路。
  • 电池供电设备: 由于其低功耗特性,适合于便携式电池供电设备和可穿戴设备。
  • 汽车电子: 高温耐受性使其适合在汽车电子系统中使用,包括电动汽车的电源管理。
  • 消费电子: 适合用于各种消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和家电等。
  • 工业控制: 在工业控制系统中用作开关元件,从而进行负载控制。

总结

SQ2301ES-T1_GE3 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、优异的热性能和广泛的应用适应性,成为众多电子设计中的理想选择。VISHAY(威世)作为行业领先的品牌,其产品的质量和稳定性得到了广泛认可,使这款 MOSFET 成为电路设计师在进行电源管理和高侧开关设计时的优选解决方案。无论是消费电子、汽车电子还是工业应用,SQ2301ES-T1_GE3 都能为用户提供高效、可靠的性能保障。