晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@10mA,10V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@20mA,2.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、概述
MMBTA42-7-F是一款高性能的NPN晶体管,属于双极性晶体管(BJT)的类别,主要用于增强电流放大和开关应用。该产品是由DIODES(美台)公司制造,采用SOT-23封装,适合各种表面贴装技术(SMT)应用。其工作频率高达50MHz,使其非常适合于高频信号放大和开关控制电路中。
二、主要参数
三、应用领域
得益于其高电压、高电流和低功耗的特性,MMBTA42-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:
四、设计与实现
在电路设计过程中,使用MMBTA42-7-F时,需考虑以下几点:
五、总结
MMBTA42-7-F作为一款高性能的NPN晶体管,凭借其优越的电性能参数和广泛的应用可能,成为电子设计工程师的理想选择。无论是在开关电源、音频放大器还是工业控制中,它都能提供可靠和高效的解决方案。借助其出色的温度适应性和小尺寸的SOT-23封装,MMBTA42-7-F适合于现代电子产品追求小型化与高性能的趋势。在设计新产品时,MMBTA42-7-F都可作为可选的关键元件,以确保设计的成功。