晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,10V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
MMDT2907A-7-F是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),特别设计用于各种低功率应用。它的集电极电流(Ic)最大可达600mA,集射极击穿电压(Vce)为60V,使其适用于多种电子电路设计。该晶体管尤其适用于开关和线性应用,提供了非常良好的频率响应和电流增益特性。
二、关键技术参数
三、应用场景
MMDT2907A-7-F广泛应用于电子产品的开关控制和信号放大领域。其高频响应特性使其适合用于射频和高频应用,例如无线通信设备、音频放大器和信号处理电路。此外,由于其较高的工作温度范围和低功耗特征,该器件在汽车电子、工业控制、消费电子产品等领域的应用均表现出色。
四、产品优势
高效的性能:MMDT2907A-7-F在满足高集电极电流和击穿电压需求的同时,保持了出色的频率特性和电流增益,确保其在动态应用场景下的稳定性和可靠性。
优异的散热能力:其200mW的额定功率和支持-55°C至150°C的工作温度范围,使其在各种严苛环境中均能有良好的表现,特别是在高温和高负载的工作条件下,许可证的设计能确保设备安全可靠运行。
适应性强:采用SOT-363封装,MMDT2907A-7-F可与各类表面贴装电路兼容,适用于集成电路设计,提升了产品的设计灵活性,缩小了电路板空间。
五、总结
总之,MMDT2907A-7-F是一款性能卓越的PNP型双极晶体管,能够满足现代电子设备对于高效能和小型化的要求。无论是在消费电子、通信设备,还是汽车电子领域,都可以看到它的身影。其高电流、高电压和出色的增益特性,使其在解决复杂电路设计挑战方面更具优势,是设计师在选择合适的晶体管时的理想选择。