类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 350mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@4.5V,350mA |
功率(Pd) | 445mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 680pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
NX3008NBKS,115 是由 Nexperia(安世半导体)推出的一款高性能双 N 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足紧凑型和高效能电路的需求。该产品具有显著的低导通电阻、宽工作温度范围和高效的功率处理能力,使其适用于各种应用场景,如开关电源、低功耗电路和信号放大器等。
NX3008NBKS,115采用6-TSSOP封装(SOT-363),这种封装形式使得器件具有小巧的体积和优秀的散热性能,非常适合于高密度电路板设计。TSSOP封装不仅便于表面贴装(SMD),而且大大提高了焊接的可靠性与精度。
NX3008NBKS,115广泛应用于以下几大领域:
Nexperia NX3008NBKS,115 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET,具备多种优越的电气性能与宽广的应用范围。其低导通电阻、高额定电流和高功率耗散能力,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。在实际应用中,NX3008NBKS,115 可以帮助工程师实现高效、高可靠性的电路设计,推动消费电子、工业控制及通信设备等领域的技术进步。无论在何种复杂的环境条件下,NX3008NBKS,115 均可展现其出色的性能,助力用户应对实际应用中的各种挑战。