PESD12VS1UB,115
PESD12VS1UB,115参数
| 极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 5A (8/20us) |
| 箝位电压 | 35V | 击穿电压（最小值） | 14.7V |
| 反向关断电压（典型值） | 12V | 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 12V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 14.7V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 35V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 180W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 38pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
PESD12VS1UB,115手册
PESD12VS1UB,115概述
PESD12VS1UB,115 产品概述
PESD12VS1UB,115 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为保护电子电路免受瞬态过电压的危害而设计。这款器件的设计特点使其在反向电压和击穿电压方面具有极好的性能，更是广泛应用于各种电子设备中。其关键参数和特性如下：
1. 基础电气特性
PESD12VS1UB,115 具有单向通道设计，适用于对电流方向敏感的场景。其反向工作电压（典型值）为12V，最大值12V，反向关断电压典型值也为12V，使其在日常工作的安全范围内拥有足够的保护能力。该器件的最小击穿电压为14.7V，确保其能够有效抵御大于该电压的瞬态尖峰。当发生瞬态过电压时，PESD12VS1UB,115 的箝位电压高达35V，能够安全限制电压在此范围内，避免对后续电路造成损害。
2. 瞬态电流处理能力
该产品在处理瞬态脉冲时表现出色，可承受的峰值脉冲电流（10/1000μs）达到5A (8/20μs)。这意味着在短时间内，器件能够有效地对抗脉冲电流，确保系统的稳定性。此外，PESD12VS1UB,115 的峰值脉冲功率为180W，进一步提高了其在应对瞬态电压时的保护能力。
3. 频率和电容特性
PESD12VS1UB,115 的电容值在1MHz频率下为38pF，这使其在高速信号传输时的影响降至最低。这一特性使得它成为适用于通信、数据传输及高速电子设备中的理想选择。
4. 工作温度范围
该器件经过严格的温度测试，能够在-65°C至150°C的极端环境下稳定工作，保证了其在各种使用条件下的可靠性。
5. 安装与封装
以表面贴装型(SMD)封装设计，符合SC-79和SOD-523标准，使得PESD12VS1UB,115 能够方便地应用于自动化焊接过程中。小巧的封装尺寸也使其非常适合于空间受限的设计，如移动设备、笔记本电脑以及便携式电子产品。
6. 应用领域
由于其优越的瞬态电压抑制性能，PESD12VS1UB,115 产品适用于多种应用场景，包括但不限于智能手机、数字通信设备、汽车电子、家用电器等。它能够有效保护电路中敏感的组件，延长电子设备的使用寿命，并提高系统的整体可靠性。
总结
PESD12VS1UB,115 是一款卓越的瞬态电压抑制二极管，具备出色的电气特性、温度适应性和安装便利性，适合广泛的消费电子和工业应用。选择 PESD12VS1UB,115 作为您电子设计的一部分，能够为您的产品添加一层稳健的保护，确保其在各种工作条件下的稳定运行。