类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,4.2A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 793pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 84pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMV35EPER是一款由安世(Nexperia)公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该元器件专为高效的电源管理和开关应用设计,其主要特点包括最大漏极电流为5.3A,漏源电压高达30V,同时具有优异的热稳定性和动态特性。
FET配置与类型:
电气参数:
电流与电压的动态特性:
热特性:
封装与安装:
PMV35EPER MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、LED驱动以及各种便携式设备中,尤其适合需要高效能和可靠性的领域。凭借其低导通电阻、快速开关能力,以及适应高温环境的能力,使其成为消费电子、工业控制及汽车电子等多种应用的理想选择。
PMV35EPER P沟道MOSFET凭借其优异的性能优势和广泛的适用性,在现代电子设计中展现出不可或缺的重要性。无论是在便携式设备,还是在大功率应用中,PMV35EPER都能提供高效、稳定的解决方案,是设计工程师优选的器件之一。选择PMV35EPER,将助力您的项目实现更高的性能和效率。