DFLZ9V1-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DFLZ9V1-7

商品编码: BM0000282656
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PDI123
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管(齐纳二极管)
库存 :
1219(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.583
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.583
--
3000+
¥0.542
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DFLZ9V1-7参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)9.1V容差±6%
功率 - 最大值1W阻抗(最大值)(Zzt)4 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 5V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2V @ 200mA
工作温度-55°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳POWERDI®123供应商器件封装PowerDI™ 123

DFLZ9V1-7手册

DFLZ9V1-7概述

DFLZ9V1-7 产品概述

产品简介

DFLZ9V1-7是一款稳压二极管(齐纳二极管),由著名电子元器件供应商DIODES(美台)制造。该器件主要用于电压稳压和过压保护应用,适合于各种需要稳定电压的电子电路。其额定齐纳电压为9.1V,兼具较高的功率处理能力和低反向电流特性,使其成为设计工程师在电源管理和信号保护方面的理想选择。

基础参数

  1. 齐纳电压 (Vz): 9.1V ±6%。在该电压值下,二极管能够有效维持恒定电压,防止电路出现不必要的电压波动。
  2. 最大功率: 1W。该功率级别允许器件在高功率应用中稳定工作而不发生击穿或损坏。
  3. 阻抗 (Zzt): 最大4Ω。这一参数表明器件在规定条件下输入和输出电压之间的相对稳定性,确保其在动态负载条件下的良好表现。
  4. 反向泄漏电流: 5µA @ 5V。当器件反向偏置时,表现出极低的漏电特性,减少了功耗。
  5. 正向电压 (Vf): 1.2V @ 200mA。在正向偏置的情况下,该器件也展现了良好的导通特性,适合用作电路中的保护二极管。

工作条件

DFLZ9V1-7的工作温度范围为-55°C到150°C,使其适用于严酷环境下的应用,确保长期的稳定性和可靠性。无论是在高温还是低温条件下,该器件均能保持其性能指标,适用于军工、航天等高要求领域。

封装与安装

该产品采用表面贴装型 (SMD) 设计,封装为POWERDI®123(PDI123)。这种封装方式不仅能够节省电路板空间,还有助于提高装配效率,并降低焊接温度,进而提高生产力。表面贴装的特点使得DFLZ9V1-7能够轻松融入现代电子设备中,从消费电子到工业控制系统,均能发挥其优越的性能。

应用领域

DFLZ9V1-7广泛应用于:

  • 电源管理: 用于电源模块的电压稳压,保证不受电源波动影响。
  • 信号保护: 在敏感信号线路中提供过压保护,防止高电压瞬态对电路造成损坏。
  • 汽车电子: 在汽车电路中用于保护关键控制单元,确保汽车电子设备的正常运行。
  • 消费电子产品: 适用于智能手机、平板电脑等消费电子,满足其对稳定电压和低功耗的需求。

总结

DFLZ9V1-7稳压二极管以其优越的务实性能、宽泛的工作温度范围以及可靠的电力管理能力,已成为工程师们首选的电压稳压方案。无论是为高科技产品提供保护,还是在复杂电路中实现稳定性,该产品均能发挥重要作用。随着电子产品不断向小型化、集成化和智能化发展,DFLZ9V1-7将继续在未来的电路设计中占据重要地位。