晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1.2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1A,1V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DJT4030P-13 是由 DIODES(美台)公司生产的一款高性能 PNP 型晶体管,其设计旨在满足各种电子应用的需求。通过坚固的工艺和优异的参数表现,DJT4030P-13 适用于需要高效率和高可靠性的电源管理、音频放大和开关电路等领域。
这款晶体管具有额定功率为 1.2W,集电极电流(Ic)最大值为 3A,集射极击穿电压(Vce)最高可达 40V。其输出能力强大,具有较高的电流处理能力,能够有效地驱动各种负载,适合多种不同的应用场景。DJT4030P-13 的工作频率高达 150MHz,这使其在高频操作应用中表现出色。其 DC 电流增益(hFE)在 1A、1V 的条件下的最小值达到 200,提供了良好的电流放大能力,使其在信号放大和开关电路中具有广泛的应用。
在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,DJT4030P-13 的 Vce 饱和压降最大值为 500mV(当 Ic 为 300mA 时),这表明其在工作时的功率损耗较低,从而提高系统的整体能效。同时,其集电极截止电流(ICBO)最大值为 100nA,显示出其在关闭状态时抑制漏电流的能力,有助于提高产品的稳定性与可靠性。
DJT4030P-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端环境条件下稳定运行,这使得它非常适合汽车电子、工业控制及严苛环境下的应用。同时,其表面贴装型的设计(封装为 SOT-223-4 和 TO-261AA)及小巧的外形(SOT-223 封装)使得该器件在空间受限的应用中也具备良好的适应性,便于集成进各种电路板设计中。
由于具备出色的电气特性,DJT4030P-13 被广泛应用于多种领域,包括:
DJT4030P-13 是一款表现优异的 PNP 晶体管,凭借其高功率、低电流耗损及宽广的工作温度范围,适用于多种严苛和高效能的场景。这款产品不仅满足现代电子产品对小型化和高可靠性的要求,同时也提供了更高的设计灵活性,使其成为各类电子设计和开发人员的理想选择。对于需要高性能、低功耗解决方案的用户,DJT4030P-13 是一个可依赖的选择,能够高效满足其设计目标。