| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V;20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A;3.1A | 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V;57mΩ@-4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V;7nC@4.5V | 输入电容(Ciss) | 400pF;530pF |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF;60pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道+P沟道 | 输出电容(Coss) | 70pF;70pF |
DMC2038LVT-7 是一款高性能的双极性场效应晶体管(MOSFET),包括一个 N 沟道和一个 P 沟道管,专为电源管理和开关应用而设计。它的工作电压范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端的温度条件下可靠工作,符合现代电子设备对高效能和低功耗的严格要求。
DMC2038LVT-7 采用了现代表面贴装技术(SMD),封装形式为 TSOT-26,这种封装使得该器件在电路板上的占用空间更小,实现更紧凑的设计。此外,TSOT-26 封装的热性能也相对较好,适合于散热需求较高的应用场景。
DMC2038LVT-7 适用于多个领域,包括但不限于:
综合以上参数与特性,DMC2038LVT-7 在电源管理、信号开关和智能硬件等领域展示出良好的应用潜力。凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,使其成为电路设计师和工程师在开发新产品时值得推荐的选择。同时,来自 DIODES 品牌的技术支持和质量保障,使得该器件在市场中具有较高的竞争优势。