类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 168mΩ@1.8V,2.0A |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 705pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC2038LVT-7 是一款高性能的双极性场效应晶体管(MOSFET),包括一个 N 沟道和一个 P 沟道管,专为电源管理和开关应用而设计。它的工作电压范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端的温度条件下可靠工作,符合现代电子设备对高效能和低功耗的严格要求。
DMC2038LVT-7 采用了现代表面贴装技术(SMD),封装形式为 TSOT-26,这种封装使得该器件在电路板上的占用空间更小,实现更紧凑的设计。此外,TSOT-26 封装的热性能也相对较好,适合于散热需求较高的应用场景。
DMC2038LVT-7 适用于多个领域,包括但不限于:
综合以上参数与特性,DMC2038LVT-7 在电源管理、信号开关和智能硬件等领域展示出良好的应用潜力。凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,使其成为电路设计师和工程师在开发新产品时值得推荐的选择。同时,来自 DIODES 品牌的技术支持和质量保障,使得该器件在市场中具有较高的竞争优势。