DMG301NU-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG301NU-7

商品编码: BM0000282665
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.029g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 320mW 25V 260mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
27654(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.16
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.16
--
3000+
¥0.142
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG301NU-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)260mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@2.7V,0.2A
功率(Pd)320mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)360pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)42pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@10V工作温度-55℃~+150℃

DMG301NU-7手册

DMG301NU-7概述

DMG301NU-7 产品概述

OT-236-3封装的DMG301NU-7是一款高性能N沟道MOSFET,广泛应用于低电压和低功耗电路中。它由DIODES(美台)公司制造,作为一款优质的半导体器件,DMG301NU-7在工业及消费电子领域展现出良好的性能和高可靠性。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 25V
  • 连续漏极电流(Id,在25°C时): 260mA
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1.1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 4Ω @ 400mA, 4.5V
  • 功率耗散(Ta=25°C时): 400mW (最大值320mW)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

封装与安装

DMG301NU-7采用SOT-23封装,其小巧的尺寸(TO-236-3,SC-59)使其非常适合紧凑型电路设计。SOT-23封装的表面贴装特性使得DMG301NU-7能够在自动化生产线上高效安装,为大规模生产提供了便利。

性能特点

  1. 高效能电流驱动: 其260mA的连续漏极电流能力,结合不超过25V的漏源电压,使得DMG301NU-7非常适合在电池供电的应用中,能够有效控制电源开关和功率转换。

  2. 低导通电阻: 4Ω的导通电阻在实现低功耗方面表现极佳,有助于降低在电流通过时的功率损耗,从而提升电路的整体效率。

  3. 优良的栅极控制: 栅源极阈值电压仅为1.1V,意味着在较低的驱动电压下,该MOSFET就可以被激活。这为电路设计提供了极大的灵活性,使其能够在多种逻辑电平下实现高效控制。

  4. 卓越的耐热性: 其工作温度范围极广,-55°C至150°C的温度适应性,使得DMG301NU-7能够在各种环境条件下正常工作,适合于高温、高湿度及严苛应用场景。

应用领域

DMG301NU-7广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 在电源开关电路中,用作高侧或低侧开关控制。
  • 信号开关: 在多路复用器、数据开关等应用中提供快速开关能力。
  • 汽车电子: 适用于汽车照明、驱动和控制电路,因其优秀的温度范围和电流处理能力。
  • 便携设备: 由于其低功耗特性,很适合用于手机、平板及其他移动设备中的电源管理。

结论

DMG301NU-7是一款功能强大且灵活的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和出色的电流承载能力,成为设计师在电路设计和开发过程中的理想选择。充分的应用场景和高效的性能使其在市场中颇具竞争优势,适合于多种电子应用,是实现高效低功耗电路的关键组件之一。