类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@14A,10V |
功率(Pd) | 930mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 37nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.81nF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMN4010LFG-7 是一款高性能的 N 通道场效应晶体管(MOSFET),隶属于 DIODES(美台)品牌,采用 PowerDI-3333-8 表面贴装型封装。这款 MOSFET 设计用于需要高效能和高可靠性的电子应用,广泛适用于电源管理、开关电源和电动机控制等领域。
DMN4010LFG-7 的推荐驱动电压为 4.5V 至 10V。使用合理的驱动电压可以有效控制其导通状态和关断时间,优化电路性能。
该 MOSFET 的设计使其非常适合在下列领域中的应用:
DMN4010LFG-7 是一款可靠的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和高导电性,成为制造商在电源管理、开关电源及电动机控制等重要应用中的理想选择。其优越的设计和性能表现使其能够满足现代电子设备对效率和稳定性的日益增长的需求。选择 DMN4010LFG-7,您将获得高效及可靠的电子解决方案,助力您的产品在市场中占据竞争优势。