类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 6.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.569nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 143pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP6023LSS-13 是一款由 DIODES(美台)生产的高性能 P沟道场效应管(MOSFET),采用SO-8封装。这款器件专为需要高效率和低导通电阻的电源管理应用而设计。它的漏源电压(Vdss)为60V,最大连续漏极电流可达6.6A,适用于各种电子电路中的开关调节和功率控制。
这些参数使得 DMP6023LSS-13 成为多种应用场景的理想选择,尤其是在需要高电流和高电压的环境中。
DMP6023LSS-13的重要特性之一是其较低的漏源导通电阻(Rds(on))。在5A电流和10V的栅源电压下,导通电阻仅为25mΩ,这意味着该器件能够有效降低导通损耗,从而提高整体效率。在实际应用中,这对于延长电池寿命及减少热损耗至关重要。
此外,该MOSFET还具有宽广的工作温度范围,适应不同的工作环境,确保其在极端条件下的可靠性能。这种高热稳定性使其适用于汽车电子、消费类电子以及工业控制等领域。
DMP6023LSS-13 适用于多种电源开关和调节应用,如:
DMP6023LSS-13采用紧凑的SO-8封装,这种表面贴装型设计节省了电路板空间,便于自动化装配。8-SOIC封装的设计使其在多层电路板中保持良好的电气性能,并方便后续的散热管理。
DMP6023LSS-13 是一款高性能的P沟道MOSFET,结合了理想的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻、尺寸紧凑和高温稳定性使其成为现代电子应用中的重要选择。无论是在电机驱动、电源供应还是消费电子领域,DMP6023LSS-13都能提供稳定高效的解决方案,为设计人员提供更多的灵活性和可靠性。