集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.3V@5mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA |
输入电阻 | 4.7kΩ | 电阻比率 | 10 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC143ZMT2L 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能 NPN 预偏置数字晶体管。其设计旨在满足现代电子设备对快速开关、低功耗和高集成度的要求。这款晶体管采用 SOT-723 封装,拥有卓越的电气特性和可靠的工作性能,广泛应用于数字电路、信号放大、开关电源等领域。
DTC143ZMT2L 具有以下主要电气参数,使其适用于多种应用场景:
DTC143ZMT2L 在不同的工作条件下表现出良好的电流增益(hFE)和低饱和压降,具体数据如下:
DTC143ZMT2L 的频率跃迁为 250MHz,显示出其在高频应用中的适用性。这使得该晶体管能够被广泛应用于无线通信、数据传输及其他需要高频响应的电子设备中。同时,优异的高频性能能够保证在复杂应用中的稳定性和可靠性。
该晶体管的基极电阻 R1 为 4.7 kΩ,发射极电阻 R2 为 47 kΩ,这种预偏置配置能够帮助晶体管在启动时快速进入工作状态,提高了其启动特性,使其适用于多种开关及放大电路。
DTC143ZMT2L 可广泛应用于:
DTC143ZMT2L 采用表面贴装型 SOT-723 封装。该封装类型具有体积小、重量轻、易于自动化生产及焊接的优势,非常适合于现代小型化电子产品的设计需求。其标准的 VMT3 封装形式,也有助于实现一致的性能和散热特性。
整体来看,DTC143ZMT2L 是一款性能优异、功能全面的 NPN 预偏置数字晶体管。其在功率、耐压、频率响应及工作稳定性方面的出色表现,使其成为多个电子应用中的理想选择。凭借 ROHM 的技术积累和市场声誉,DTC143ZMT2L 产品将极大地提升电子产品的性能与可靠性,是电子工程师值得信赖的选择。