EM6K7T2R

EM6K7T2R 产品概述

一、产品简介

EM6K7T2R 是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），旨在满足广泛的电子应用需求。该元件由知名品牌 ROHM（罗姆）制造，具有优良的电气特性和可靠性。这款 MOSFET 适合用于逻辑电平开关以及其他需要高效率和紧凑设计的应用场景。

二、基础参数

EM6K7T2R 的主要电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 连续漏极电流（Id）: 200mA @ 25°C
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 1mA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大值为 1.2Ω，测试条件为 200mA、2.5V
• 最大功率耗散: 150mW @ Ta=25°C
• 输入电容（Ciss）: 最大值 25pF @ 10V
• 工作温度范围: 高达 150°C（TJ）
• 封装类型: SOT-563 / SOT-666，这使得产品适于表面贴装。

三、特性分析

1. 优越的电导特性
EM6K7T2R 的漏源导通电阻（Rds(on)）在给定条件下为 1.2Ω，这使得其在低功耗应用中表现出色，能够有效降低功耗。

2. 低阈值电压
本产品的栅源极阈值电压为 1V，非常适合于逻辑电平驱动，能够在低电压下启动，增加了电路的灵活性和响应速度。

3. 高稳定性及功率承载能力
具有高达 150mW 的功率耗散能力，更适合于小型化、高密度的电子设备。再加上支持的高工作温度（150°C），使得 EM6K7T2R 能在严苛的环境下稳定工作。

四、应用场景

EM6K7T2R 广泛适用于以下场景：

• 逻辑开关: 适合用作数字电路中的开关元件，如在开关电源、智能家居设备等。
• 小型负载驱动: 可以驱动小功率负载，例如LED、继电器、低功耗电机等。
• 信号放大和转换: 在较低电压和电流下，应用在信号放大器和转换器中。
• 汽车应用: 其高温工作能力使其适合汽车电子设备。

五、优点总结

EM6K7T2R 作为一款高性能双N沟道 MOSFET，其独特的电气特性和各项参数使其极为适合多种高效、低功耗的应用。它不仅在开关效率和功耗控制方面表现优越，还有助于用户实现设计的灵活性和空间的节约。ROHM 的可靠性和品质保证使得 EM6K7T2R 适合各种行业的专业需求，能够有效提升设计的整体性能。

六、结论

ROHM 的 EM6K7T2R 是一款卓越的双N沟道 MOSFET，结合了高电气性能和优良的热管理特性，适用于各类电子应用。无论是用于小型负载驱动，还是复杂的数字信号处理，EM6K7T2R 都能提供可靠的解决方案，为设计与开发过程带来更多的便利与可能。