安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 180MHz,140MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
ROHM(罗姆)作为全球领先的半导体制造商,致力于提供高品质的电子元器件,以满足日益增长的市场需求。EMZ1T2R 是一款功能强大的集成电路,采用了表面贴装型(SMD)封装,旨在提供高效能和可靠性,适用于各种电子应用领域,如通信、工业控制和消费电子等。
高性能电流控制
EMZ1T2R 的集电极电流(Ic)最大值为 150mA,意味着其在承载较高电流负载时表现良好,能够应对多种应用场景的要求。此外,集电极截止电流(ICBO)最大值仅为 100nA,这表明该器件在关闭状态下几乎无漏电流,提供了更高的能效和更可靠的性能。
宽温工作范围
此款三极管的工作温度最高可达 150°C,这使其可以在极端环境条件下稳定工作,适合各种高温应用,如汽车电子和工业设备。
优秀的频率响应
EMZ1T2R 在频率跃迁下能够达到 180MHz 和 140MHz 的频率响应,这使得其在高频应用中表现出色,能够支持快速的信号开关和传输,提升信号完整性和系统效率。
高功率处理能力
此款三极管的功率最大值为 150mW,确保在不同工作条件下都具备良好的散热能力和功耗处理能力,适合多种功率需求的电路设计。
低饱和压降
在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)情况下,EMZ1T2R 的 Vce 饱和压降最大值为 400mV(在 5mA 和 50mA 时),这封装设计能够在系统运行中降低功耗,从而延长电池使用寿命,特别适合可穿戴设备或便携式电子产品。
显著的电流增益
在特定工作条件下,EMZ1T2R 的直流电流增益(hFE)最低可达 120,能够显著提升输出控制能力及放大效率,尤其适合需要信号放大的应用场景。
EMZ1T2R 采用 EMT6 封装,设计为表面贴装型,这种封装方式不仅使得该器件具有较小的体积和较低的高度,适合于空间有限的安装环境,同时也增强了其在自动化生产线的适应能力,方便进行高效的电路组装和维修。
EMZ1T2R的广泛应用领域包括:
EMZ1T2R 是一款集成度高、性能卓越的 NPN+PNP 三极管,其在电流、功率和频率上的优异表现,使其适用于多种复杂应用场景。无论是在高温环境下的工作能力,还是在高效能电路设计中的应用,EMZ1T2R 都有着显著的优势,是电子工程师及设计师的理想选择。ROHM 在该产品上的创新设计和严苛标准,确立了其在电子元器件市场的地位,值得广大客户的信赖。