极性 | 单向 | 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V |
最大钳位电压 | 14.1V | 峰值脉冲电流(Ipp) | 11.2A |
击穿电压 | 5V | 类型 | ESD |
ESD5Z3.3T1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能齐纳二极管,专门设计用于电气静电放电(ESD)保护。该器件采用 SOD-523 表面贴装封装,具有优异的抗击穿性能和较快的响应时间,能够有效保护敏感电子元件免受静电放电和浪涌电流的损害。
类型: 齐纳二极管
单向通道: 1
反向电压(典型值): 3.3V(最大)
击穿电压(最小): 5V
箝位电压(最大,Ipp变化时): 14.1V
峰值脉冲电流(10/1000µs): 11.2A(8/20µs)
峰值脉冲功率: 158W
电源线路保护: 无
工作温度范围: -55°C ~ 150°C(结温,TJ)
不同频率下的电容: 105pF @ 1MHz
封装类型: SOD-523
ESD5Z3.3T1G 广泛应用于通信设备、消费电子、工业自动化及其他需要静电保护的电子产品中。特别是在移动设备、USB接口、HDMI接口、音频接口等领域,ESD保护对于延长产品寿命和确保性能稳定至关重要。
ESD5Z3.3T1G 为表面贴装型二极管,支持自动化贴片设备进行快速安装,便于实现快速生产周期。用户在设计电路时应考虑二极管的布局,以最小化与被保护电路的距离,从而实现最佳的保护效果。
作为一种高效的 ESD 保护组件,ESD5Z3.3T1G 以其卓越的性能和灵活的应用范围,成为设计电子设备时不可或缺的选择。它的高击穿电压、良好的脉冲处理能力以及优越的尺寸优势,使其在现代电子产品中发挥着重要的作用。通过选择 ESD5Z3.3T1G,工程师能够有效提升产品的可靠性和稳定性,进一步保护珍贵的电子元件免受静电损害。