IPD068N10N3G

产品概述：IPD068N10N3G MOSFET

基础信息

IPD068N10N3G 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），其设计用于满足用户在高电压和高电流应用中的需求。此型号的主要规格包括漏源电压（Vdss）为 100V，能够提供高达 90A 的连续漏极电流（Id），显著优越的漏源导通电阻为 6.8mΩ，确保有效的电能传输。这款 MOSFET 采用 PG-TO252-3 封装设计，能够承受最大功率耗散为 150W（在 25°C 环境温度下）。

关键参数详细分析

1. 漏源电压(Vdss)：100V 的额定漏源电压使该 MOSFET 适用于多种高压场合，包括开关电源、逆变器以及电机驱动等应用。

2. 连续漏极电流(Id)：在 25°C 时，能够提供高达 90A 的持续电流，适合用于需要大量电力传输的应用场景。这种高电流能力大大提升了设备的应对能力，特别是在动态负载变化的环境中。

3. 栅源极阈值电压：该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 3.5V @ 90μA，这意味着在相对较低的栅压下就可以有效开启设备，降低了驱动电路的复杂度和功耗。

4. 漏源导通电阻：低至 6.8mΩ的漏源导通电阻在 90A 和 10V 的条件下，意味着在导通状态下能量损失极小，能够提高系统的整体效率，降低热量生成。

5. 最大功率耗散：最大功率耗散为 150W，表明该设备在大功率应用中能够安全运行，减少器件因过热造成的损坏风险。

应用场景

IPD068N10N3G MOSFET 具有广泛的应用场景，主要包括但不限于：

• 开关电源：此类型的高效能场效应管非常适合用于开关电源设计，确保高转换效率和小型化设计要求。
• 电机控制：在电动机驱动和控制电路中，通过其高电流和快速开关能力，可实现精确的电机控制。
• 光伏逆变器：在太阳能逆变器中，能够处理较高的电压和电流，适应复杂的电源变换需求。
• 电池电源管理：在电池充放电系统中，能够有效管理电流，有助于延长电池使用寿命。

竞争优势

与同类产品相比，IPD068N10N3G 凭借其优越的导电性能、广泛的工作温度范围以及出色的功率处理能力，在设计的灵活性与电路的可靠性之间实现了良好的平衡。此外，英飞凌作为全球领先的半导体制造商，其产品质量和可靠性在行业内广受认可，用户可以放心选择。

总结

IPD068N10N3G 是一款高效、稳定的 N 沟道 MOSFET，适合用于多种高电流高压电力电子应用。它的设计特点完全符合现代电子设备对高效、可靠和尺寸紧凑的需求，是工程师在电力管理和转换应用中理想的选择。在这个快速发展的技术时代，该产品将为用户提供强大的支持和便利，使其能够在竞争激烈的市场环境中取得成功。