类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,9.0A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 37nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 920pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 19pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF530NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),广泛应用于各种功率管理和转换应用中。其采用 TO-220 封装,具备高效能和高可靠性的特点,适合在高温和高电压等苛刻环境下工作。
IRF530NPBF 的工作温度范围广泛,从低至 -55°C 到高达 175°C,确保在不同行业和环境条件下的稳定性与可靠性。这种宽广的温度适应性使其可以被广泛应用于军工、航空和汽车等高要求领域。
IRF530NPBF 具有多个应用场景,包括但不限于:
IRF530NPBF 采用 TO-220-3 封装,具备良好的散热性能,非常适合通孔板安装。其封装设计能够实现高效的热管理,使得电路设计师在选用时具有更多灵活性。
IRF530NPBF 的竞争优势体现在其卓越的性能参数和广泛的适用性。其低导通电阻、高工作电压及电流能力使其在电力电子领域中具备强大的市场竞争力。同时,英飞凌作为知名半导体制造商,提供可靠的产品质量和技术支持,为客户提供了保障。
IRF530NPBF 是一款性能优异的 N 通道 MOSFET,其稳健的设计、宽广的工作温度范围以及高效的电流和电压处理能力,使其成为各类功率管理应用的理想选择,无论是在家用电器、汽车电子,还是在工业自动化领域,都能发挥出色的性能。选择 IRF530NPBF,便是选择高效的能量管理解决方案。