类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 28A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 77mΩ@10V,17A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF540PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。该器件广泛应用于各种电子电路和系统中,尤其是在电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场景中,因其优异的电气特性和高效的热管理能力而受到广泛青睐。
IRF540PBF 的主要技术规格如下:
这些参数使得 IRF540PBF 在多种负载条件下均能保持优异的性能,尤其是在高电压和大电流的应用中。
低导通电阻: IRF540PBF 在17A下的导通电阻仅为77毫欧,这意味着在开启状态下,能有效降低通过它的电流所造成的能量损耗,从而提高系统效率并降低热量生成。
高功率处理能力: 该器件的最大功率耗散可达到150W,确保它在高功率应用中的稳定性和可靠性。这使得它适合用于要求严苛的场合,比如高功率电源及电机驱动器。
宽工作温度范围: IRF540PBF 的工作温度范围从-55°C到175°C,这使得它能够在极端环境下正常运行,非常适合航空、汽车和工业应用。
优良的开关特性: 该MOSFET的栅极电荷(Qg)仅为72nC @ 10V,表示其在开关操作时的响应速度快,这对于高频开关电源和其他快速开关应用至关重要。
耐高压: 100V的漏源电压(Vdss)使得 IRF540PBF 能够在许多需要高电压隔离的应用中使用,增强了设计灵活性。
IRF540PBF 在电子设计中有多种应用,常见的包括:
总的来说,IRF540PBF 是一款多功能的N沟道MOSFET,它以优越的电气特性、广泛的应用范围及可靠的工作性能,为设计者提供了一种理想的解决方案。适用于高效能电路设计,IRF540PBF 在各类工业和消费类电子产品中都有着举足轻重的地位。无论是在电源转换、信号调节还是电机驱动场合,IRF540PBF 都能提供出色的性能,为现代电子产品的设计提供了更多的可能性。