类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,45A |
功率(Pd) | 260W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.83nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 59pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF8010PBF 是英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,它采用 TO-220AB 封装,具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力。这款 MOSFET 主要用于高电压和高电流的开关应用,适用于电源管理、电动机驱动、直流-直流转换器等领域。
电压与电流规格:
导通电阻:
栅极电压特性:
输入电容:
功率耗散:
工作温度:
该产品采用 TO-220AB 封装,方便通孔安装,适合在散热需求较高的设备中使用。该封装设计有助于快速散热,提高其长期稳定性和可靠性。
电源管理:
电动机驱动:
汽车电子:
UPS(不间断电源):
综上所述,IRF8010PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适合多种高电压、高电流的电子应用。凭借其优异的导通电阻、较宽的工作温度范围和高功率处理能力,它在电源管理、电动机驱动及各种重负载应用中展现出极大的潜力。对于那些寻求高效率及可靠性的工程设计师和开发人员而言,IRF8010PBF无疑是一个值得选择的产品。