类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,2.7A |
功率(Pd) | 74W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 610pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 68pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF830PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,专为电源管理应用而设计,具有不俗的电气性能和可靠性。这款MOSFET由著名的全球电子元器件制造商VISHAY(威世)出品,采用TO-220AB封装,适用于广泛的电子电路和行业应用。以下是其详细的产品特性和应用分析。
IRF830PBF拥有卓越的电气性能,其栅极电荷(Qg)最大值为38nC @ 10V,这一低值让其能够在较短的时间内快速切换,有效提升开关频率。此外,该元件的输入电容(Ciss)在25V下最大为610pF,显示出在高频操作时的良好响应能力。
IRF830PBF采用TO-220AB封装,这种封装形式不仅提供了较好的散热性能,还便于散热器的安装,适合高功率应用。TO-220AB的安装方式为通孔,便于在电路板快速组装和更换。
凭借其高电压、高电流及优越的导通性能,IRF830PBF被广泛应用于以下领域:
IRF830PBF是一款兼具高稳定性和高效率的N沟道MOSFET,适合多种高压电源及开关应用。凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,IRF830PBF mens在当今电子行业中具备极高的价值。VISHAY(威世)凭借其长期的行业经验和对品质的严格把控,使得IRF830PBF产品成为众多设计工程师及开发者的重要选择,能够满足各种复杂电路的需求,是一个值得信赖的电子元器件。