类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,6.6A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 81pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称:IRF9640STRLPBF
类型:P沟道场效应晶体管(MOSFET)
制造商:VISHAY(威世)
封装类型:D2PAK(TO-263-3)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
最大漂移电压(Vdss):200V
最大漏极电流(Id):11A(在25°C时)
最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc 可达125W)
IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET,专门用于高压、高电流的应用场景,具有良好的热性能和电气性能。它能够在高达200V的漏源电压下稳定工作,同时支持最大11A的连续漏极电流,在25°C的标准条件下保持稳定。它的栅源极阈值电压(Vgs(th))为4V @ 250µA,特别适合在低栅压环境下工作,提供可靠的设备控制能力。
IRF9640的漏源导通电阻(Rds(on))在6.6A和10V的条件下为500mΩ,显示出低导通损耗的优势。在电路设计中,这使得切换损耗及功耗最小化,提高系统效率,尤其是在高频开关电源和电动机驱动应用中。
这些电气特性使得IRF9640在各种轻负荷到重负荷应用中都有广泛的适用性。
IRF9640STRLPBF MOSFET广泛应用于多个领域,包括:
高效性: 低Rds(on)和高的额定电流值,使其在低功耗方面具有卓越表现,能够有效降低热生成和能量损耗。
高可靠性: 适应的广泛温度范围和优秀的功率处理能力(最大125W),极大提升了产品在严苛环境下的稳定性。
良好的电气特性: 低栅极电荷和输入电容,使得在高频应用中表现出色,能够显著提高系统的工作频率。
易于焊接: 表面贴装型(SMD)封装设计便于在现代自动化生产中快速装配。
IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性和可靠性,为用户在高压、高电流应用中提供了理想选择。其广泛的应用领域从电源管理到电动机控制,充分体现了该元件在现代电子设计中的重要性。在追求高效能和高可靠性的应用场合,IRF9640都能够符合设计需求,为相关设计提供关键支持。