IRF9640STRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF9640STRLPBF

商品编码: BM0000282796
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W;125W 200V 11A 1个P沟道 TO-263
库存 :
4(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
4.12
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.12
--
800+
¥3.96
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9640STRLPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)6.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@10V,6.6A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)81pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRF9640STRLPBF手册

IRF9640STRLPBF概述

产品概述:IRF9640STRLPBF P沟道MOSFET

一、基本信息

产品名称:IRF9640STRLPBF
类型:P沟道场效应晶体管(MOSFET)
制造商:VISHAY(威世)
封装类型:D2PAK(TO-263-3)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
最大漂移电压(Vdss):200V
最大漏极电流(Id):11A(在25°C时)
最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc 可达125W)

二、技术规格

IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET,专门用于高压、高电流的应用场景,具有良好的热性能和电气性能。它能够在高达200V的漏源电压下稳定工作,同时支持最大11A的连续漏极电流,在25°C的标准条件下保持稳定。它的栅源极阈值电压(Vgs(th))为4V @ 250µA,特别适合在低栅压环境下工作,提供可靠的设备控制能力。

IRF9640的漏源导通电阻(Rds(on))在6.6A和10V的条件下为500mΩ,显示出低导通损耗的优势。在电路设计中,这使得切换损耗及功耗最小化,提高系统效率,尤其是在高频开关电源和电动机驱动应用中。

三、电气特性

  • 栅极电荷(Qg):44nC @ 10V,提供快速的开关速度,适合高频应用。
  • 输入电容(Ciss):1200pF @ 25V,较大的输入电容使得其在构建高频PWM控制电路时具有好的表现。
  • 最大栅源电压(Vgs):±20V,确保设备在各种操作条件下的可靠性。

这些电气特性使得IRF9640在各种轻负荷到重负荷应用中都有广泛的适用性。

四、应用领域

IRF9640STRLPBF MOSFET广泛应用于多个领域,包括:

  • 电源管理:在开关电源、直流-直流转换器等电源管理设备中作为开关和线性调节器。
  • 电动机控制:适用于直流电动机驱动、步进电机驱动和伺服电机驱动应用。
  • 汽车电子:可用作各类控制电路,提升汽车电力系统的效率和稳定性。
  • 电池管理系统:用于电池放电保护和充电控制。

五、设计优势

  1. 高效性: 低Rds(on)和高的额定电流值,使其在低功耗方面具有卓越表现,能够有效降低热生成和能量损耗。

  2. 高可靠性: 适应的广泛温度范围和优秀的功率处理能力(最大125W),极大提升了产品在严苛环境下的稳定性。

  3. 良好的电气特性: 低栅极电荷和输入电容,使得在高频应用中表现出色,能够显著提高系统的工作频率。

  4. 易于焊接: 表面贴装型(SMD)封装设计便于在现代自动化生产中快速装配。

六、结论

IRF9640STRLPBF是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性和可靠性,为用户在高压、高电流应用中提供了理想选择。其广泛的应用领域从电源管理到电动机控制,充分体现了该元件在现代电子设计中的重要性。在追求高效能和高可靠性的应用场合,IRF9640都能够符合设计需求,为相关设计提供关键支持。