类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 9.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,5.9A |
功率(Pd) | 40W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFI640GPBF N通道MOSFET
IRFI640GPBF是一款高性能N通道MOSFET,由威世半导体(VISHAY)制造,采用TO-220封装。该器件专门设计用于高压和大电流的应用,具有优异的导电性能和高功率处理能力,是多种电子设备和电路设计的理想选择。
IRFI640GPBF的设计使其特别适用于开关电源、马达控制、功率放大器和任何需要高效电源转换的应用。它在电动机驱动控制中的表现尤为突出,能有效提高驱动系统的效率。同时,凭借其高耐压特性,该MOSFET适合在各种工业和消费电子产品中使用,如电源管理模块、不间断电源(UPS)和LED驱动电路。
总之,IRFI640GPBF是一款兼具高功率处理能力和卓越导通性能的N通道MOSFET,凭借其强大的技术规格和出色的性能,成为电子工程师在设计电源管理方案时的重要选择。无论是在工业应用还是在消费电子产品中,IRFI640GPBF都能提供高效能与可靠性,为电路设计增添无限可能。