IRFI640GPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFI640GPBF

商品编码: BM0000282798
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.88g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 40W 200V 9.8A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
11.53
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.53
--
1000+
¥11.21
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFI640GPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)9.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@10V,5.9A
功率(Pd)40W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFI640GPBF手册

IRFI640GPBF概述

产品概述:IRFI640GPBF N通道MOSFET

  1. 基本信息

IRFI640GPBF是一款高性能N通道MOSFET,由威世半导体(VISHAY)制造,采用TO-220封装。该器件专门设计用于高压和大电流的应用,具有优异的导电性能和高功率处理能力,是多种电子设备和电路设计的理想选择。

  1. 技术规格
  • 最大漏源电压(Vdss):200V
  • 连续漏极电流(Id):在25°C时可达9.8A(Tc)
  • 栅源驱动电压:最高可达10V,确保器件在不同应用中具备高效驱动能力
  • 导通电阻(Rds On):在5.9A和10V时最大值为180毫欧,确保在导通状态下耗能最低
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为4V(@ 250µA),使得MOSFET在较低栅压下即可稳定工作
  • 栅极电荷(Qg):最大为70nC(@ 10V),可以有效降低开关损耗
  • Vgs(最大值):可承受±20V的栅源电压,允许广泛的应用场景
  • 输入电容(Ciss):最大1300pF(@ 25V),提供良好的频率响应
  • 功率耗散:最大40W(Tc),可在高功率应用中稳定工作
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ),确保器件在极端环境下的可靠性
  • 安装类型:通孔,适合传统PCB设计
  1. 应用场景

IRFI640GPBF的设计使其特别适用于开关电源、马达控制、功率放大器和任何需要高效电源转换的应用。它在电动机驱动控制中的表现尤为突出,能有效提高驱动系统的效率。同时,凭借其高耐压特性,该MOSFET适合在各种工业和消费电子产品中使用,如电源管理模块、不间断电源(UPS)和LED驱动电路。

  1. 性能优势
  • 高效能:低导通电阻(Rds On)和较小的栅极电荷(Qg)使IRFI640GPBF具有高效开关性能,降低了静态损耗和动态损耗。
  • 宽温范围:能在-55°C至150°C的工作环境下稳定工作,提高了整个系统的适应范围,特别适合苛刻条件下的工业应用。
  • 可靠性:采用TO-220封装设计,既可提供良好的热管理,又保证在高功率应用中的可靠性,满足现代电子设备对于元器件长期稳定性的要求。
  • 易于集成:其通孔设计使得该MOSFET在各种PCB布局中都能轻松集成,适合不同的设计需求。
  1. 总结

总之,IRFI640GPBF是一款兼具高功率处理能力和卓越导通性能的N通道MOSFET,凭借其强大的技术规格和出色的性能,成为电子工程师在设计电源管理方案时的重要选择。无论是在工业应用还是在消费电子产品中,IRFI640GPBF都能提供高效能与可靠性,为电路设计增添无限可能。