IRFR13N20DTRPBF

IRFR13N20DTRPBF 产品概述

概述

IRFR13N20DTRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，由工业领先的半导体供应商——英飞凌 (Infineon) 生产。该 MOSFET 设计用于高压、高效率的开关电源和各种功率管理应用的需求，具备200V 的漏源电压（Vdss），最高可承受 13A 的连续漏极电流 (Id)。其出色的性能和可靠性使其成为电动汽车充电、DC-DC 转换器和电机驱动等应用的理想选择。

产品参数

IRFR13N20DTRPBF 的关键参数包括：

• FET 类型：本产品为 N 通道 MOSFET，能够实现低导通电阻和快速的开关特性。
• 漏源电压 (Vdss)：200V，适合高压应用。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 下可以稳定工作于 13A，确保了其在高电流环境下的性能。
• 最大 Rds(on)：最佳导通电阻为 235 毫欧，发生在8A以及10V的栅极驱动电压下，表明其优越的导通特性，不仅提升了开关效率，还减小了热损耗。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 5.5V，确保 MOSFET 能够在较低的栅极驱动电压下启动。
• 输入电容 (Ciss)：在25V时为830pF，适合高速应用。
• 栅极电荷 (Qg)：在10V下为38nC，表明该 FET具有低栅极驱动能量要求，可以提升开关频率。
• 工作温度范围：-55°C 至 175°C，展现了其在极端环境条件下的可靠性。
• 功率耗散：最大功率耗散为 110W，确保了其在高功率应用中的稳定性。

封装与安装

IRFR13N20DTRPBF 采用 TO-252-3（D-Pak）封装，适合表面贴装型 (SMD) 应用。这种封装形式不仅有助于缩小电路板的空间占用，还能提高热管理性能。其引脚布局设计简洁，便于在自动化生产中进行焊接，保持了高度的组装灵活性与稳定性。

应用场景

IRFR13N20DTRPBF 主要可应用于以下几种场景：

1. 电源管理：用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器等电源转换装置，实现高效的电流转换与管理。
2. 电机控制：在电动汽车和工业电机驱动器中，MOSFET 可以高效地控制电机的工作状态，提升系统效率。
3. 消费电子：在各类消费电子产品，如LED照明、计算机电源等领域，应用于功率开关与信号放大。
4. 工业设备：可用于可编程逻辑控制器 (PLC) 和其他工业自动化设备中的高效开关组件。

总结

IRFR13N20DTRPBF N 通道 MOSFET 是一款高效、可靠的功率开关器件，其独特的参数与优越的性能能够满足现代电子设备日益增长的功率管理需求。无论是在电源转换、驱动电机，还是在复杂的工业应用场景中，IRFR13N20DTRPBF 都展现出了其不可替代的价值和优势。凭借英飞凌在半导体领域的技术积累和质量保证，该器件为设计工程师提供了一个理想的选择，以便于实现高效、稳定的电源管理解决方案。