类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 480pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 61pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRLR024NTRPBF 是来自英飞凌(Infineon)的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具备优良的电气特性和绝佳的热稳定性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及电机控制等领域。该器件采用TO-252-3(D-Pak)封装,便于表面贴装安装,适合高密度电路设计。
IRLR024NTRPBF 因其优异的电气特性和热性能,适合于以下多个应用场合:
IRLR024NTRPBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET,具有优良的热管理性能与电气效率,适合各种高功率和高电压的应用需求。无论是用于电源管理系统、马达控制,还是电池管理方案,该器件都能提供卓越的性能和可靠性,使设计工程师能够轻松开发出具有高效能和可靠性的产品。通过采用IRLR024NTRPBF,工程师不仅能提升产品性能,还能有效降低整体系统的能耗,从而为用户带来更大的经济效益。