MMBT3904T-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBT3904T-7-F

商品编码: BM0000282948
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 40V 200mA NPN SOT-523
库存 :
6472(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.113
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.113
--
3000+
¥0.09
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT3904T-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT3904T-7-F手册

MMBT3904T-7-F概述

MMBT3904T-7-F 产品概述

一、产品简介

MMBT3904T-7-F是一款高性能的NPN型三极管,专为多种电子应用设计,具有优异的电气特性和热稳定性。这款三极管的额定功率为150毫瓦,集电极电流(Ic)最大值为200毫安,集射极击穿电压(Vce)最大值为40伏。它的频率跃迁特性高达300MHz,使其适用于高速开关和放大应用。此器件采用SOT-523封装,适合表面贴装,方便集成到现代小型化电子设备中。

二、关键参数

MMBT3904T-7-F在多个方面表现出色,具体参数如下:

  • 额定功率:150mW,适合小型功率需求的电路。
  • 集电极电流(Ic):最大200mA,满足大多数信号放大和开关应用的需要。
  • 集射极击穿电压(Vce):最大40V,能够承受中等电压,使其在多种电源条件下正常工作。
  • 饱和压降(Vce饱和):在Ib为5mA和50mA时,最大饱和压降为300mV,提供高效的开关性能。
  • 直流电流增益(hFE):在Ic为10mA和1V的条件下,最小值为100,确保三极管在放大应用中的性能。
  • 工作频率:频率跃迁高达300MHz,适合高速信号处理。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适合于严酷的环境条件,广泛应用于工业、汽车和航空航天领域。

三、封装与安装

MMBT3904T-7-F采用SOT-523封装,呈现出小型化设计,适合表面贴装使用。该封装不仅能够节省PCB空间,还有助于提高装配效率。其小型特性也使其非常适用于需要高密度组件设计的现代电子产品,如手机、平板电脑和各类便携式设备。

四、应用领域

由于其优越的电气特性和高度的灵活性,MMBT3904T-7-F被广泛应用于以下领域:

  1. 信号放大:在音频和视频处理电路中常用作信号放大器。
  2. 开关电路:适用于低功率开关电路,广泛应用于LED驱动、电源切换和逻辑电路中。
  3. 备份与电路保护:在逆变器和其他电源管理电路中,可以用于保护和稳压。
  4. 高频应用:由于其优秀的频率特性,适合用于RF(射频)及高频应用。

五、性能优势

MMBT3904T-7-F的设计考虑了多种性能指标,这使其成为电子工程师日常设计的一种理想选择。其较宽的工作温度范围使得该三极管可以在恶劣环境中稳定工作。同时,较低的饱和压降与高DC电流增益特性也确保在多种应用场合下具备高效能和稳定性。

六、总结

MMBT3904T-7-F是一款出色的NPN三极管,具备优良的电气性能,适合多种高性能电子设计需求。无论是在信号放大还是在开关电路中,凭借其稳定的性能和高度的适应性,MMBT3904T-7-F均能提供有效的解决方案,帮助客户实现其产品性能的优化。选择MMBT3904T-7-F,就是选择了性能与可靠性的优良平衡,能够满足各类现代电子设备的要求。

这种三极管不仅得到了广泛认可,而且由于其较易集成在众多电路中,在未来电子产品设计中仍将占据重要位置。无论是在教育、工业,还是专业电子设计,MMBT3904T-7-F都是一款值得推荐的优质元器件。