晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMDT5551-7-F 是一款高性能的结合了 NPN 脉冲功能的双极晶体管(BJT),专为表面贴装组装而设计。其采用 SOT-363 封装,具有较小的占板面积,非常适合用于各种紧凑和高密度的电子设备中。该晶体管的工作电压高达 160V,输出电流可达 200mA,是处理高电压和中等电流应用的理想选择。
MMDT5551-7-F 的广泛应用范围包括但不限于:
MMDT5551-7-F 作为一款高性能的 NPN 三极管,其出色的电气特性与结构紧凑的封装设计使其成为现代电子产品设计中的重要元件。无论是在消费电子,工业控制,还是高频开关电源和信号放大等领域,MMDT5551-7-F 都能提供可靠的性能支持。对于工程师和设计师而言,这款器件不仅满足了高标准的电气要求,而且优化了空间布局,是创新电子产品开发不可或缺的助力。