晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 540mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@2A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@2A,200mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
PBSS4350T,215 产品概述
PBSS4350T,215是一款由全球电子元器件制造商Nexperia(安世)出品的高性能NPN晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。这款晶体管整合了现代电子设备所需的可靠性和高效性,是各种电子电路设计中的理想选择,尤其适合于低功率开关和放大应用。
PBSS4350T,215的额定功率为540mW,工作电压范围广泛,集射极击穿电压最大为50V,确保可以在多种工作环境下提供稳定的性能。该晶体管的集电极电流(Ic)的最大值为2A,满足高电流驱动的需求。同时,低的集电极截止电流(最大值仅为100nA)表明其在静态状态下具有优秀的漏电性能,适合于对电流和功耗敏感的应用。
PBSS4350T,215的饱和压降(Vce 饱和)在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下表现出优良的性能。例如,当Ic为300mA时,Vce饱和压降仅为370mV,这在降低功率损耗和提升整体能效方面有显著优势。此外,DC电流增益(hFE)的最小值为300(在1A,2V的条件下),能够保证在大多数应用中提供足够的增益,对于信号放大应用表现尤为突出。
在频率响应方面,PBSS4350T,215具备100MHz的跃迁频率,展示了其在高频应用中的良好适应性。这一特性使得该晶体管能够在高速开关和调制应用中广泛使用,如RF发射器、调制解调器以及高频电源电路。
PBSS4350T,215具有宽广的工作温度范围,最大结温为150°C,适合在要求苛刻的工作环境中应用。该晶体管采用TO-236-3、SC-59及SOT-23-3等小型封装,这些表面贴装型封装设计使其便于在密集的电路板上布置,节省空间,并满足现代电子产品对小型化的趋势。
由于PBSS4350T,215具备诸多优良特性,该器件可广泛应用于以下几个方面:
PBSS4350T,215的设计结合了先进的电子元器件制造技术,具有出色的电气特性和多样的应用潜力。凭借其高集电极电流、高电流增益、低饱和压降及高频性能,该产品是电子设计工程师在高性能、低功耗电路设计时不可或缺的选择。Nexperia(安世)凭借其在行业中的专业背景和技术实力,确保了该产品的可靠性和性能,助力各类现代电子设备的创新和发展。