PBSS4350T,215 产品实物图片
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PBSS4350T,215

商品编码: BM0000283054
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 540mW 50V 2A NPN SOT-23
库存 :
33927(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.186
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.186
--
3000+
¥0.165
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBSS4350T,215参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)50V功率(Pd)540mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@2A,2V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50uA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)280mV@2A,200mA
工作温度-65℃~+150℃

PBSS4350T,215手册

PBSS4350T,215概述

PBSS4350T,215 产品概述

PBSS4350T,215是一款由全球电子元器件制造商Nexperia(安世)出品的高性能NPN晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。这款晶体管整合了现代电子设备所需的可靠性和高效性,是各种电子电路设计中的理想选择,尤其适合于低功率开关和放大应用。

1. 基本参数

PBSS4350T,215的额定功率为540mW,工作电压范围广泛,集射极击穿电压最大为50V,确保可以在多种工作环境下提供稳定的性能。该晶体管的集电极电流(Ic)的最大值为2A,满足高电流驱动的需求。同时,低的集电极截止电流(最大值仅为100nA)表明其在静态状态下具有优秀的漏电性能,适合于对电流和功耗敏感的应用。

2. 电气特性

PBSS4350T,215的饱和压降(Vce 饱和)在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下表现出优良的性能。例如,当Ic为300mA时,Vce饱和压降仅为370mV,这在降低功率损耗和提升整体能效方面有显著优势。此外,DC电流增益(hFE)的最小值为300(在1A,2V的条件下),能够保证在大多数应用中提供足够的增益,对于信号放大应用表现尤为突出。

3. 高频性能

在频率响应方面,PBSS4350T,215具备100MHz的跃迁频率,展示了其在高频应用中的良好适应性。这一特性使得该晶体管能够在高速开关和调制应用中广泛使用,如RF发射器、调制解调器以及高频电源电路。

4. 工作环境与封装

PBSS4350T,215具有宽广的工作温度范围,最大结温为150°C,适合在要求苛刻的工作环境中应用。该晶体管采用TO-236-3、SC-59及SOT-23-3等小型封装,这些表面贴装型封装设计使其便于在密集的电路板上布置,节省空间,并满足现代电子产品对小型化的趋势。

5. 应用场景

由于PBSS4350T,215具备诸多优良特性,该器件可广泛应用于以下几个方面:

  • 开关电路:由于其低饱和压降及高电流驱动能力,PBSS4350T非常适合用作低功耗开关,常用于电源管理、电机驱动和其他需要快速开关的电路。
  • 信号放大:其高增益和优良的高频特性使其成为音频放大器和射频(RF)放大器的理想选择。
  • 传感器接口:在与各种传感器结合的应用中,它可以有效提升检测信号,增强系统的响应能力和准确度。
  • 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费类电子产品中,由于对体积和功耗的控制要求严格,PBSS4350T的高性能特性使其成为理想的选择。

6. 结论

PBSS4350T,215的设计结合了先进的电子元器件制造技术,具有出色的电气特性和多样的应用潜力。凭借其高集电极电流、高电流增益、低饱和压降及高频性能,该产品是电子设计工程师在高性能、低功耗电路设计时不可或缺的选择。Nexperia(安世)凭借其在行业中的专业背景和技术实力,确保了该产品的可靠性和性能,助力各类现代电子设备的创新和发展。