PDTC143ZT,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC143ZT,215

商品编码: BM0000283058
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
383(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.345
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.345
--
200+
¥0.115
--
1500+
¥0.0719
--
3000+
¥0.057
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC143ZT,215参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)900mV@5mA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,5V
输入电阻4.7kΩ电阻比率10
工作温度-65℃~+150℃

PDTC143ZT,215手册

PDTC143ZT,215概述

产品概述:PDTC143ZT,215

基本信息

PDTC143ZT,215 是由安世半导体(Nexperia)生产的一款高性能数字晶体管,属于NPN类型,其主要特点为预偏压配置。这款晶体管采用表面贴装设计(SMD),封装类型为TO-236AB(也称为SOT-23),广泛应用于各种数字电路中,如开关控制、信号放大等。

关键参数

PDTC143ZT,215的工作电流 Ic 最大可达 100mA,集电极截止电流最大为 1µA,具有优良的电流控制性能。在集射极的击穿电压方面,PDTC143ZT,215 能够承受最高 50V 的电压,适合需要中等电压操作的应用场合。同时,该晶体管在不同的输入电流(Ib)情况下,其集电极饱和压降(Vce)最大为 100mV,此参数提升了其在低功耗应用中的适用性,特别是在需要较高效率的电源管理或小信号放大场景中。

电阻与增益特性

该器件的基极电阻(R1)为 4.7 kOhms,发射极电阻(R2)则为 47 kOhms。这种预设的电阻设置使得 PDTC143ZT,215 可以有效地控制晶体管的工作状态,适用于数字电路中信号处理和触发操作。其 DC 电流增益(hFE)在 10mA 和 5V 的条件下最小值可达 100,表明其在中等工作电流下能够提供良好的放大性能。

工作频率与功率处理

PDTC143ZT,215 的跃迁频率达到 230 MHz,展现出优秀的频率响应能力,适合处理高频信号的应用。对于功率处理,这款晶体管的最大功率限制为 250mW,可满足多种小功率电子设备的需求。

应用场景

PDTC143ZT,215 由于其高度集成及小型化设计,非常适合于空间受限的应用环境。其典型的应用场景包括:

  1. 开关应用:该晶体管可用于数字电路中的开关控制,提供快速的开关响应及较低的饱和电压,为设计师在低功耗设计中提供显著的优势。

  2. 信号放大:PDTC143ZT,215 适用于音频及视频信号放大应用。它能够高效放大小信号,保持信号的完整性和质量。

  3. 开关电源:由于能够承受 50V 的电压,该晶体管也适用于一些中等压的开关电源设计,帮助实现高效能源管理,降低损耗。

  4. 数字电路和逻辑门:作为场效应晶体管,它能够与其他逻辑元件搭配使用,为更加复杂的数字电路系统提供支持。

结论

总的来说,PDTC143ZT,215 是一款性能优异、功能齐全的NPN数字晶体管,适应性广泛,适合各种低功耗、高频率的应用场景。其优秀的电流增益、较低的饱和电压及良好的功率处理能力,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。借助于 Nexperia 可靠的制造工艺,PDTC143ZT,215 无疑将为您的设计带来稳定性和性能保障。