类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 250mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA |
功率(Pd) | 150mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 15pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
RE1L002SNTL 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能 N 通道 MOSFET,具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力。该产品采用表面贴装型封装(EMT3F/SOT-416FL),在小型和紧凑型电子设备中非常受欢迎。作为一种金属氧化物半导体场效应管,RE1L002SNTL 在低功耗和小型化设计中表现出色,特别适合用于开关电源、电机驱动和其他需要高效电流控制的应用场景。
RE1L002SNTL 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,确保其在严苛环境下的可靠性。这一特性使其适用于汽车、工业和消费电子等各种要求极端温度稳定性的应用。
RE1L002SNTL 的规格使其适合众多应用场景:
综合来看,RE1L002SNTL N 通道 MOSFET 以其卓越的电气性能和宽广的应用范围,成为众多电子设计工程师的优选部件。无论在高频开关应用,电源管理还是电机控制中,其低导通电阻、适广的工作温度范围及高漏源电压都确保了其在多种环境和条件下的高效能和稳定性。ROHM 品牌所带来的可靠性更使得 RE1L002SNTL 在现代电子设计中具备了非常高的市场竞争力。