RE1L002SNTL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RE1L002SNTL

商品编码: BM0000283099
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3F(SOT-416FL)
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150mW 60V 250mA 1个N沟道 SC-89
库存 :
845(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.12
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.12
--
3000+
¥0.095
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RE1L002SNTL参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)250mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω@10V,250mA
功率(Pd)150mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)15pF反向传输电容(Crss@Vds)2pF
工作温度-55℃~+150℃

RE1L002SNTL手册

RE1L002SNTL概述

RE1L002SNTL 产品概述

RE1L002SNTL 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能 N 通道 MOSFET,具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力。该产品采用表面贴装型封装(EMT3F/SOT-416FL),在小型和紧凑型电子设备中非常受欢迎。作为一种金属氧化物半导体场效应管,RE1L002SNTL 在低功耗和小型化设计中表现出色,特别适合用于开关电源、电机驱动和其他需要高效电流控制的应用场景。

主要参数

  • 安装类型: 表面贴装型,适用于现代电子设备中的自动化贴装工艺。
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 在 10V Vgs 下,最大 2.4Ω 的导通电阻,这一特性降低了能量损耗并提高了整体效率。
  • 额定电流: 在 25°C 的环境温度下,该器件可持续承载 250mA 的漏极电流(Id),确保其在各种工作条件下依然稳定运行。
  • 漏源电压 (Vdss): 高达 60V 的漏极到源极电压,适用于需要处理较高电压的应用。
  • 功率耗散: 最大功率耗散能力为 150mW,能有效满足多种电路设计需求。
  • 输入电容 (Ciss): 在 25V 伏特下,最大输入电容为 15pF,这为高频开关应用提供了较好的响应速度。
  • 门源电压 (Vgs): 允许的最大门源电压为 ±20V,为设计师提供了更大的电压范围以适应不同应用。
  • 开启电压 (Vgs(th)): 该器件在 1mA 条件下的最大阈值电压为 2.3V,确保在低电压下即可进入导通状态,提高设计的灵活性。

工作温度范围

RE1L002SNTL 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,确保其在严苛环境下的可靠性。这一特性使其适用于汽车、工业和消费电子等各种要求极端温度稳定性的应用。

应用场景

RE1L002SNTL 的规格使其适合众多应用场景:

  1. 电源管理: 作为高效率的开关元件,RE1L002SNTL 可以用于电源转换器和稳压电源电路。
  2. 电机控制: 该 MOSFET 可用于各种电机驱动电路,提供流畅的控制和长效的稳定性能。
  3. 自动化设备: 在机器人和各类自动化设备中,RE1L002SNTL 可用于快速切换和控制电路,提升反应速度和效率。
  4. 消费电子: 其小型封装特别适合诸如手机、平板电脑及其他便携设备内的紧凑设计。

总结

综合来看,RE1L002SNTL N 通道 MOSFET 以其卓越的电气性能和宽广的应用范围,成为众多电子设计工程师的优选部件。无论在高频开关应用,电源管理还是电机控制中,其低导通电阻、适广的工作温度范围及高漏源电压都确保了其在多种环境和条件下的高效能和稳定性。ROHM 品牌所带来的可靠性更使得 RE1L002SNTL 在现代电子设计中具备了非常高的市场竞争力。