正向压降(Vf) | 820mV@1A | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
整流电流 | 1A | 反向电流(Ir) | 5uA@100V |
SDM1100S1F-7是由著名电子元器件制造商DIODES(美台)推出的一款高性能肖特基二极管。该器件专为应用领域解决高效电流整流和快速导通特性而设计,以满足现代电子电路对性能与可靠性的日益提高的需求。
直流反向耐压(Vr):该二极管具有高达100V的直流反向耐压能力,使其非常适合在电源管理、电机驱动和逆变器等多种高压应用中使用。无论是在开关电源、LED驱动还是太阳能逆变器等领域,它均能有效应对电压变化,提供可靠的性能。
平均整流电流(Io):SDM1100S1F-7可以支持高达1A的平均整流电流,这使得它能够在各种负载条件下提供稳定的电流输出。这种性能尤其适用于需要高电流输出的电源电路,如电池充电器和有关电源转换的应用。
正向压降(Vf):该二极管在1A的工作条件下,其正向压降仅为820mV。这一特性表明,SDM1100S1F-7在工作时能有效降低功耗,提升整体能量转换效率,降低系统发热,延长组件的使用寿命。
反向泄漏电流:在100V反向电压条件下,反向泄漏电流降低至5µA,表明其良好的绝缘性能和稳定性。低泄漏电流不仅提高了整体系统的效率,也降低了潜在的电路故障风险,增强了产品的整体可靠性。
快速恢复特性:该产品具备快速恢复特性,恢复时间小于500ns,并能够支持超过200mA的电流这一强大特性使得它在高频开关应用场合中表现优秀,尤其适合用于高效开关电源变换器和RF应用。
温度范围广: SDM1100S1F-7的工作结温范围为-55°C至150°C,展现出优异的温度适应性,适合在极端环境和严苛条件下使用。
SDM1100S1F-7采用了SOD-123F表面贴装封装。该封装不仅小型化设计,节省了电路板空间,还保证了良好的散热性能。这种封装形式使得该元器件在现代电子设备的紧凑设计中更具灵活性,易于实现自动贴装,有助于减少生产成本和提升生产效率。
SDM1100S1F-7在多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:
综上所述,SDM1100S1F-7是一款功能强大的肖特基二极管,其在电流整流、高压耐受、低正向压降及快速恢复特性等方面的表现,充分满足了当前市场对高效、稳定、可靠电子元器件的需求。适用于各种现代电子应用,尤其是在电力管理及转换、驱动电源等领域。无论是在研发阶段还是产品已经转入量产阶段,SDM1100S1F-7都将是您可靠的选择。