类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 630mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 396mΩ@4.5V,600mA |
功率(Pd) | 240mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.3nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 43pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1012CR-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,属于Vishay(威世)电子产品系列。该器件特别设计用于低功耗应用,具备卓越的导通特性和可靠性,适用于各种电子电路的控制和开关技术。SI1012CR-T1-GE3的封装类型为SC-75A,这是一种表面贴装(SMD)封装,适合在空间有限且对热管理有较高要求的应用场合。
SI1012CR-T1-GE3广泛用于消费电子、工业控制、DC-DC转换器和电源管理等领域。其低导通阻抗和高耐压特性使得其在电源开关和信号调节电路中具备良好的性能表现。
使用SI1012CR-T1-GE3的设计师将享受到以下优势:
总的来说,SI1012CR-T1-GE3是Vishay的一款优秀N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高工作电流及广泛的工作温度范围,成为众多电源管理和开关应用的理想选择。设计师在面对高效能与低能耗需求时,该产品提供了可靠的解决方案,并能够满足现代电子设计中对性能的高要求。