类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 198mΩ@4.5V,1A |
功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.5nC@8V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
一、产品简介
SI1922EDH-T1-GE3 是 Vishay(威世)公司推出的一款特色双N沟道场效应管(MOSFET),特别设计用于逻辑电平应用。作为一款高性能的半导体器件,该产品具有出色的电气特性,适用于诸多电子电路中的开关和放大功能。凭借其小型化的封装(SC-70-6/SOT-363)和宽工作温度范围(-55°C ~ 150°C),SI1922EDH-T1-GE3 适合各类便携式及高温环境应用。
二、主要参数
三、应用场合
SI1922EDH-T1-GE3 适用于多个领域,包括但不限于:
便携式设备:由于其小巧的封装和低导通电阻,适合用于电池供电的电子设备,确保能效和延长电池寿命。
开关电源:该 MOSFET 的高效率和低功耗特性,无疑是开关电源设计中的理想选择,提升整体性能和稳定性。
电机驱动:在电机控制电路中,SI1922EDH-T1-GE3 可用作高频开关,增强电机的驱动效率。
LED 驱动:在 LED 照明和控制电路中,凭借其良好的线性特性和高切换速度,可以提升 LED 灯的亮度和稳定性。
信号开关和整流电路:其高频特性能在信号开关和整流应用中提供优异的表现,满足高效率的电流切换需求。
四、客户优势
选择 SI1922EDH-T1-GE3,客户能获得如下优势:
五、总结
SI1922EDH-T1-GE3 双N沟道场效应管是集高性能、低功耗、小型化优点于一身的理想选择,特别适合广泛的应用场合。凭借Vishay 的品牌信誉和优质的产品性能,此款产品必将在多种电子设备和系统中发挥重要作用。