SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3 产品概述

产品概述
SI2392ADS-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）出品的 N 通道 MOSFET，专为高效能开关和功率管理应用而设计，封装形式为 SOT-23-3（TO-236），具有出色的电气性能和热管理特性。该器件非常适合用于电源开关、电池管理和其他要求高效率和小尺寸的应用。

主要参数

1. 漏源电压 (Vdss): SI2392ADS-T1-GE3 的最大漏源电压为 100V，这使得其在高压应用中具有良好的适应性。
2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流为 3.1A，这提供了在多种负载条件下的可靠性能。
3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 阈值电压为 3V @ 250µA，意味着该 MOSFET 可以在较低电压下实现导通，进一步提高了其开关性能。
4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下，漏源导通电阻为 126mΩ @ 2A，这降低了开关损耗，提高了系统的整体效率。
5. 驱动电压: 支持的最大驱动电压为 4.5V 至 10V，使其适用于多种驱动电路。

电气特性

• 功率耗散: SI2392ADS-T1-GE3 在环境温度 Ta 为 25°C 时，最大功率耗散为 2.5W，这保证了在高负载工作时的热管理能力。
• 工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适应不同的工作环境，可以满足高温和低温应用的需求。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 下，最大栅极电荷为 10.4nC，表明在开关过程中的响应速度较快。
• 输入电容 (Ciss): 在 50V 下，输入电容达到 196pF，可以减少开关过程中的延迟，提升整体性能。

封装与安装
SI2392ADS-T1-GE3 采用 SOT-23-3 (TO-236) 封装，具有小型化的设计，方便在空间受限的电路板上进行安装。其表面贴装型的特点使得其适合大规模自动化生产，降低生产成本以及提高装配效率。

应用场景
SI2392ADS-T1-GE3 的设计使其能够在广泛的领域中得到应用，包括：

• 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、开关电源等设计中，提高效率和功率密度。
• 电池管理系统: 在电池充电与放电过程中进行高效切换，延长电池寿命。
• 电机驱动: 用于电机驱动电路中的开关控制，提高系统的动态响应速度。
• 消费电子产品: 适用于智能手机、笔记本电脑等便携设备的功率开关应用，以优化设备性能和提升续航时间。

总结
SI2392ADS-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和适应环境，它在电源管理、电池管理及其他高效能开关领域中具有广泛的应用潜力。威世提供的这款产品不仅确保了高效率，还支持了现代电子设备对小型化和集成化的需求，是电子工程师设计高性能电路时的一项理想选择。